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LTM9001-Ax/LTM9001-Bx
该
l
表示该应用在整个工作温度下的特定连接的阳离子
范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 （注4 ）
符号
OV
DD
I
VDD
I
OVDD
P
DISS
参数
输出电源电压
模拟电源电流
输出电源电流
功耗
LTM9001-Ax
LTM9001-BA
（注8）
LTM9001-Ax
LTM9001-BA
LTM9001-Ax
LTM9001-BA
（注8）
LTM9001-Ax
LTM9001-BA
LTM9001-Ax
LTM9001-BA
LTM9001-Ax
LTM9001-BA
条件
（注8）
LTM9001-Ax
LTM9001-BA
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
电源要求
民
3
典型值
3.3
400
465
74
1564
1779
最大
3.6
500
550
90
1947
2112
3.6
500
550
50
1815
1980
3.6
单位
V
mA
mA
mA
mW
mW
V
mA
mA
mA
mW
mW
V
mA
mA
mW
mW
mW
mW
标准LVDS输出模式
低功耗LVDS输出模式
OV
DD
I
VDD
I
OVDD
P
DISS
CMOS输出模式
OV
DD
I
VDD
P
DISS
P
DISS （ TOTAL ）
输出电源电压
模拟电源电流
ADC功耗
总功耗
0.5
380
460
1320
1584
1650
1914
450
530
1650
1914
输出电源电压
模拟电源电流
输出电源电流
功耗
3
3.3
400
465
41
1455
1670
该
l
表示该应用在整个工作温度下的特定连接的阳离子
范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 （注4 ）
符号
f
S
t
L
参数
采样频率（注8）
ENC低电平时间（注7 ）
条件
LTM9001-Ax
LTM9001-BA
占空比稳定器（ LTM9001 -AX ）
占空比稳定器（ LTM9001 -BA ）
占空比稳定器开（ LTM9001 -AX ）
占空比稳定器开（ LTM9001 -BA ）
占空比稳定器（ LTM9001 -AX ）
占空比稳定器（ LTM9001 -BA ）
占空比稳定器开（ LTM9001 -AX ）
占空比稳定器开（ LTM9001 -BA ）
（注7 ）
（注7 ）
(t
C
– t
D
） （注7 ）
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
时序特性
民
1
1
3.65
2.97
2.6
2.1
3.65
2.97
2.6
2.1
1.3
1.3
典型值
最大
130
160
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
周期
9001fb
3.846
3.125
3.846
3.125
3.846
3.125
3.846
3.125
2.7
2.7
4.3
0.5
0.5
7
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
4
4
10
t
H
ENC高时间（注7 ）
LVDS输出模式（标准和低功耗）
t
D
t
C
t
SKEW
t
上升
t
秋天
ENC数据延迟
ENC到CLKOUT延迟
DATA为CLKOUT倾斜
输出上升时间
输出下降时间
数据延迟
6
