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ILD621/ILD621GB/ILQ621/ILQ621GB
光电耦合器，光电晶体管输出
（双通道，四通道）
威世半导体
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
热阻，结领导
产量
集电极 - 发射极电容
集电极 - 发射极漏电流
热阻，结领导
耦合器
电容（输入输出）
绝缘电阻
通道间隔离
I
F
= 8.0毫安，我
CE
= 2.4毫安
集电极 - 发射极饱和电压
I
F
= 1.0毫安，我
CE
- 0.2毫安
ILD621
ILQ621
ILD621GB
ILQ621GB
V
CESAT
V
CESAT
V
IO
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IO
= 500 V
C
IO
0.8
10
12
500
0.4
0.4
pF
Ω
VAC
V
V
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 24 V
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
R
thJL
6.8
10
20
500
100
50
pF
nA
A
K / W
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
I
R
C
O
R
thJL
1.0
1.15
0.01
40
750
1.3
10
V
A
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
通道/通道
CTR比赛
电流传输比
（集电极 - 发射极
饱和）
测试条件
I
F
= 5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
ILD621
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.4 V
ILQ621
ILD621GB
ILQ621GB
ILD621
电流传输比
（集电极 - 发射极）
I
F
= 5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
ILQ621
ILD621GB
ILQ621GB
部分
符号
CTRX /
CTRY
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
30
30
50
50
100
100
80
80
200
200
600
600
600
600
分钟。
1对1
60
60
典型值。
马克斯。
3比1
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
非饱和
准时
上升时间
OFF时间
下降时间
传播H到L
传播的LtoH
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω,
V型50 ％
PP
t
on
t
r
t
关闭
t
f
t
PHL
t
PLH
3.0
2.0
2.3
2.0
1.1
2.5
s
s
s
s
s
s
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
文档编号： 83654
修订版1.5 ， 20日-12月07
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
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