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ILD621/ILD621GB/ILQ621/ILQ621GB
威世半导体
订购信息
部分
ILD621-X007
ILD621-X009
ILD621GB-X007
ILQ621-X006
ILQ621-X007
ILQ621-X009
ILQ621GB-X006
ILQ621GB-X007
ILQ621GB-X009
备注
CTR
＆ GT ;
50 ％ ，双， SMD - 8 （选项7 ）
CTR
＆ GT ;
50 ％ ，双， SMD - 8 （选件9 ）
CTR
＆ GT ;
100 ％ ，双， SMD - 8 （选项7 ）
CTR
＆ GT ;
50 ％ ，四， DIP- 16 400万
CTR
＆ GT ;
50 ％ ，四， SMD - 16 （选项7 ）
CTR
＆ GT ;
50 ％ ，四， SMD - 16 （可选9 ）
CTR
＆ GT ;
100 ％ ，四， DIP- 16 400万
CTR
＆ GT ;
100 ％ ，四， SMD - 16 （选项7 ）
CTR
＆ GT ;
100 ％ ，四， SMD - 16 （可选9 ）
光电耦合器，光电晶体管输出
（双通道，四通道）
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
产量
集电极 - 发射极反向电压
集电极电流
功耗
从25° C减免
耦合器
绝缘测试电压
包装耗散
从25° C减免
包装耗散
从25° C减免
爬电距离
间隙距离
绝缘电阻
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
(2)
(1)
测试条件
部分
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
1.5
100
1.33
70
50
100
150
- 2.0
5300
400
400
5.33
500
500
6.67
≥
7.0
≥
7.0
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
mW
mW
毫瓦/°C的
mW
mW
毫瓦/°C的
mm
mm
Ω
Ω
°C
°C
°C
°C
吨< 1.0毫秒
V
ECO
I
C
I
C
P
DISS
T = 1.0秒
ILD621
ILD621GB
ILQ621
ILQ621GB
V
ISO
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
≥
≥
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
2.0毫米从外壳底部
T
SLD
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
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2
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83654
修订版1.5 ， 20日-12月07
