3SK319
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
GATE1至源极电压
GATE2至源极电压
漏电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
G1S
V
G2S
I
D
PCH
总胆固醇
TSTG
评级
6
±6
±6
20
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
GATE1至源极击穿电压
GATE2源击穿
电压
GATE1到源截止电流
GATE2到源截止电流
GATE1到源截止电压
GATE2到源截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
功率增益
噪声系数
符号
V
（ BR ） DSS
V
(BR)G1SS
V
(BR)G2SS
I
G1SS
I
G2SS
V
G1S(off)
V
G2S(off)
I
DS （ OP ）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
PG
NF
民
6
±6
±6
—
—
0.5
0.5
0.5
18
1.3
0.9
—
18
—
典型值
—
—
—
—
—
0.7
0.7
4
24
1.6
1.2
0.019
21
1.4
最大
—
—
—
±100
±100
1.0
1.0
10
32
1.9
1.5
0.03
—
2.2
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
mA
mS
pF
pF
pF
dB
dB
测试条件
I
D
= 200
A,
V
G1S
= V
G2S
= 0
I
G1
= ±10
A,
V
G2S
= V
DS
= 0
I
G2
= ±10
A,
V
G1S
= V
DS
= 0
V
G1S
= ±5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
V
G2S
= ±5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 3 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 5 V, V
G1S
= 3 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 3.5 V, V
G1S
= 1.1 V,
V
G2S
= 3 V
V
DS
= 3.5 V, V
G2S
= 3 V
I
D
= 10 mA时， F = 1千赫
V
DS
= 3.5V, V
G2S
= 3V
I
D
= 10毫安， F = 1MHz的
V
DS
= 3.5 V, V
G2S
= 3 V
I
D
= 10 mA时， F = 900兆赫
Rev.2.00 2005年8月10日第2 7
