3SK319
硅N沟道双栅MOS FET
超高频射频放大器
REJ03G0820-0200
（上ADE- 208-602 ）
Rev.2.00
Aug.10.2005
特点
低噪音的特点;
（ NF = 1.4 dB典型值，在f = 900兆赫）
优秀的交叉调制特性
能低电压工作; + B = 5V
概要
瑞萨封装代码： PLSP0004ZA -A
（包名称： MPAK - 4 ）
2
3
1
4
1.源
2. GATE1
3. GATE2
4.漏
注意：
标记为“ YB- ” 。
Rev.2.00 2005年8月10日第1页7
