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6MBI100UB-120
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
250
T J = 25°C
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
1000
IGBT模块
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 5.6欧姆
200
正向电流IF [ A]
150
T J = 125°C
100
100
TRR
TRR
IRR
IRR
(125°C)
(25°C)
(125°C)
(25°C)
50
0
0
1
2
3
4
正向电压： VF [ V]
10
0
50
100
150
200
正向电流IF [ A]
瞬态热阻抗（最大）
1.000
FWD
温度特性（典型值）。
100
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
IGBT
0.100
电阻值：R [K欧姆]
0.010
0.100
1.000
10
0.010
1
0.001
0.001
0.1
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
温度[° C]
脉冲宽度：密码[秒]
