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技领半导体公司
典型性能特性(续)
(V
CHG_IN
= 5V ,R
DCCC
= 20K ,R
ISET
= 680, T
A
= 25℃ ,除非另有说明)。
ACT8810
转4 , 01 -OCT- 09
ActivePath
TM
充电器
VAC应用, CHGLEV = LOW
ACT8810-024
CH1
CH2
CH1
CH2
CH3
450mA
VAC应用, CHGLEV = HIGH
ACT8810-025
CH3
100mA
CH4
CH4
CH1: V
USB
, 2.00V / DIV
CH2: V
CHG_IN
, 2.00V / DIV
CH3 :我
BAT
, 500毫安/ DIV
CH4 : V
VAC
, 2.00V / DIV
时间: 400μS / DIV
CH1: V
USB
, 2.00V / DIV
CH2: V
CHG_IN
, 2.00V / DIV
CH3 :我
BAT
, 500毫安/ DIV
CH4 : V
VAC
, 2.00V / DIV
时间: 400μS / DIV
VAC删除, CHGLEV = LOW
ACT8810-026
CH1
CH2
VAC删除, CHGLEV = HIGH
ACT8810-027
CH1
CH2
CH3
450mA
CH3
100mA
CH4
CH4
CH1: V
USB
, 2.00V / DIV
CH2: V
CHG_IN
, 2.00V / DIV
CH3 :我
BAT
, 500毫安/ DIV
CH4 : V
VAC
, 2.00V / DIV
时间: 400μS / DIV
CH1: V
USB
, 2.00V / DIV
CH2: V
CHG_IN
, 2.00V / DIV
CH3 :我
BAT
, 500毫安/ DIV
CH4 : V
VAC
, 2.00V / DIV
时间: 400μS / DIV
电池漏电流与电池电压
10
ACT8810-028
电池漏电流( μA )
8
6
4
2
无CHG_IN
CHGLEV = 0
0
1
2
3
4
5
0
电池电压( V)
创新动力
TM
ActivePMU
TM
ActivePath
TM
是技领半导体公司的商标。
I
2
C
TM
是飞利浦电子公司的商标。
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www.active-semi.com
2009技领半导体公司

深圳市碧威特网络技术有限公司