AND8048/D
模型评价
P沟道器件
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流（注1 ）
漏源导通电阻（注1 ）
V
GS （ TH）
I
D（上）
r
DS （ ON）
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
–5.0 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –3.0 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –2.5 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= –1.0 A
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 3.0 A
I
S
= -0.9 A，V
GS
= 0.0 V
0.83
36
0.080
0.110
0.142
7.6
–0.80
V
A
W
S
V
符号
测试条件
典型
单位
正向跨导（注1 ）
二极管的正向电压（注1 ）
动态
（注2 ）
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
1.脉冲测试：脉冲宽度
300
女士，
占空比
2%.
2.设计保证，不受生产测试。
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -4.0 V ，R
L
= 4.0
W,
I
D
^
–1.0 A,
V
根
= -4.5 V ，R
G
= 6.0
W
V
DS
= –4.0 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= –3.0 A
35
0.5
1.5
13
19
24
12
28
ns
nC
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2
