AND8048/D
SPICE器件模型
NTHD5905T1
双P沟道1.8 V （G -S ）的MOSFET
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应用说明
特征
描述
P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路）
3级MOS
适用于线性和开关模式
适用在-55至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向
恢复特性
所附的SPICE模型描述了典型的电
的p沟道垂直DMOS的特性。该
子电路模型提取和优化在25 ℃下
至125 ° C的温度脉冲条件下0范围
-5伏栅极驱动。饱和输出阻抗模型
精度已达到最大的近门的偏见
门槛。一种新颖的栅极 - 漏极反馈电容器
网络是用来模拟栅极电荷特性而
避免了切换的C衔接问题
gd
模型。
模型参数值进行了优化，以提供最适合的
测量电数据，并且不打算作为一个确切的
一个设备的物理描述。
D
4
M
R
M
G
C
GS
1
2
3
DB
S
图1.模型子电路
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年4月 - 修订版0
出版订单号：
AND8048/D
AND8048/D
模型评价
P沟道器件
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流（注1 ）
漏源导通电阻（注1 ）
V
GS （ TH）
I
D（上）
r
DS （ ON）
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
–5.0 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –3.0 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –2.5 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= –1.0 A
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 3.0 A
I
S
= -0.9 A，V
GS
= 0.0 V
0.83
36
0.080
0.110
0.142
7.6
–0.80
V
A
W
S
V
符号
测试条件
典型
单位
正向跨导（注1 ）
二极管的正向电压（注1 ）
动态
（注2 ）
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
1.脉冲测试：脉冲宽度
300
女士，
占空比
2%.
2.设计保证，不受生产测试。
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -4.0 V ，R
L
= 4.0
W,
I
D
^
–1.0 A,
V
根
= -4.5 V ，R
G
= 6.0
W
V
DS
= –4.0 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= –3.0 A
35
0.5
1.5
13
19
24
12
28
ns
nC
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2
AND8048/D
H- SPICE
.SUBCKT Si5905DC 4 1 2
M 1 3 1 2 2 PMOS W = 183649u L = 0.50u
M 1 2 1 2 4的NMOS W = 183649u L = 1.05u
R1 4 3
RTEMP 18E - 3
CGS 1 2
540E–12
DBD 2 4
DBD
*******************************************************************************************
.MODEL PMOS
PMOS （ LEVEL = 3
TOX = 1.7E - 8
+ RS = 45E - 3
RD = 0
NSUB = 0.67E16
+ KP = 4.7E - 5
UO = 400
+ VMAX = 0
XJ = 5E- 7
KAPPA = 20E - 3
ETA + = 1E- 4
TPG = -1
+ IS = 0
LD = 0
CAPOP = 5
+消费品安全条例= 0
CGDO = 0
CGBO = 0
+ TLEV = 1
BEX = -1.5
TCV = 1.5E - 3
+ NFS = 0.8E12
DELTA = 0.1 ）
*******************************************************************************************
.MODEL NMOS
NMOS （ LEVEL = 3
TOX = 1.7E - 8
+ NSUB = 16E16
NSF = 10E11
TPG = -1）的
*******************************************************************************************
.MODEL DBD D（ CJO = 200E - 12 VJ = 0.38 M = 0.31
+ RS = 0.6 FC = 0.5 = 1E - 8 TT = 9E - 8 ，N = 1 BV = 8.5 ）
*******************************************************************************************
.MODEL RTEMP R（ TC1 = 7.5E - 3 TC2 = 5.5E - 6 ）
*******************************************************************************************
.ENDS
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P- SPICE
.SUBCKT Si5905DC 4 1 2
M 1 3 1 2 2 PMOS W = 183649u L = 0.50u
M 1 2 1 2 4的NMOS W = 183649u L = 1.05u
R1 4 3
RTEMP 18E - 3
CGS 1 2
540E–12
DBD 2 4
DBD
*******************************************************************************************
.MODEL PMOS
PMOS （ LEVEL = 3
TOX = 1.7E - 8
+ RS = 45E - 3
RD = 0
NSUB = 0.67E16
+ KP = 4.7E - 5
UO = 400
+ VMAX = 0
XJ = 5E- 7
KAPPA = 20E - 3
ETA + = 1E- 4
TPG = -1
+ IS = 0
LD = 0
CAPOP = 5
+消费品安全条例= 0
CGDO = 0
CGBO = 0
+ NFS = 0.8E12
DELTA = 0.1 ）
*******************************************************************************************
.MODEL NMOS
NMOS （ LEVEL = 3
TOX = 1.7E - 8
+ NSUB = 16E16
NSF = 10E11
TPG = -1）的
*******************************************************************************************
.MODEL DBD D（ CJO = 200E - 12 VJ = 0.38 M = 0.31
+ RS = 0.6 FC = 0.5 = 1E - 8 TT = 9E - 8 ，N = 1 BV = 8.5 ）
*******************************************************************************************
.MODEL RTEMP R（ TC1 = 7.5E - 3 TC2 = 5.5E - 6 ）
*******************************************************************************************
.ENDS
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