
BCW61A ... BCW61D
特性(T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
2
)
- I
C
= 10毫安, - 我
B
= 0.25毫安
- I
C
= 50毫安, - 我
B
= 1.25毫安
基射极饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
- I
C
= 10毫安, - 我
B
= 0.25毫安
- I
C
= 50毫安, - 我
B
= 1.25毫安
基极发射极电压 - 基射极Spannung
2
)
- I
C
= 10 μA , - V
CE
= 5 V
- I
C
= 2毫安, - V
CE
= 5 V
- I
C
= 50毫安, - V
CE
= 1 V
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
- V
CB
= 30 V , (E打开)
- V
CE
= 30 V ,T
j
= 125°C , (E打开)
发射基截止电流
- V
EB
= 4 V, (C打开)
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 10 mA时, F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
- V
CB
= 10 V,I
E
= i
e
= 0中,f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
- V
EB
= 10 V,I
C
= i
c
= 0中,f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 200 μA ,R
G
= 2 k
F = 1千赫
Δf
= 200赫兹
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
标记 - Stempelung
F
R
THA
–
2分贝
< 420 K / W
1
)
BCW60A ... BCW60D
BCW61A = BA
BCW61B = BB
BCW61C = BC
BCW61D = BD
6分贝
C
EBO
–
11 pF的
–
C
CBO
–
4.5 pF的
–
f
T
100兆赫
250兆赫
–
- I
EB0
–
–
20 nA的
- I
CB0
- I
CB0
–
–
–
–
20 nA的
20 A
- V
BE
- V
BE
- V
BE
–
550毫伏
–
520毫伏
650毫伏
780毫伏
–
750毫伏
–
- V
BESAT
- V
BESAT
–
–
700毫伏
830毫伏
850毫伏
1050毫伏
- V
CESAT
- V
CESAT
–
–
120毫伏
200毫伏
250毫伏
550毫伏
Kennwerte (T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒,占空比
≤
2 % - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒, Schaltverhltnis
≤
2%
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2