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SRAM
奥斯汀半导体公司
真值表
手术
(5-10)
AS5SS128K36
地址
CE \\ CE2 \\ CE2
二手
取消选择周期
无
H
X
X
取消选择周期
无
X
H
X
取消选择周期
无
X
X
L
CONTINUE DESELECT周期
无
X
X
X
读周期
外
L
L
H
（开始爆发）
读周期
NEXT
X
X
X
（继续爆发）
NOP /假读
外
L
L
H
（开始爆发）
假读
NEXT
X
X
X
（继续爆发）
写周期
外
L
L
H
（开始爆发）
写周期
NEXT
X
X
X
（继续爆发）
NOP /写入中止
无
L
L
H
（开始爆发）
写入中止
NEXT
X
X
X
（继续爆发）
忽略时钟边沿
当前
X
X
X
（失速）
贪睡模式
无
X
X
X
ZZ ADV / LD \\ R / W \\ BWX OE \\ CKE \\
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
X
X
X
X
H
X
H
X
L
X
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
H
X
X
X
X
X
X
L
L
H
H
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
CLK
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
DQ
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
Q
Q
高-Z
笔记
1
1, 11
2
高Z 1，2， 11
D
D
高-Z
高-Z
---
高-Z
3
1, 3, 11
2, 3
1, 2, 3,
11
4
注意：
1.继续BURST周期，无论是读取或写入，使用相同的控制输入。执行周期的类型（读
或写）被选择在初始BEGIN突发周期。一个continue DESELECT周期只能如果进入
首先执行的是DESELECT周期。
2.虚拟读取和写入中止循环可以考虑NOP指令，因为该设备不进行外部操作。
写入中止装置，一个写命令被给出，但不执行任何操作。
3. OE \\可以是有线的低，以减少控制信号到SRAM的数目。该设备将自动关闭
在写周期输出驱动器。 OE \\可用于当总线导通和关断时间不符合的应用
要求。
4.如果读操作过程中出现忽略时钟边沿命令时， DQ总线将保持活跃（低阻抗） 。如果出现这
在写周期，总线将保持在高阻抗。没有写操作将忽略时钟期间进行
边循环。
5， X表示“不在乎。 ” H表示逻辑高电平。 L表示逻辑低电平。 BWX = H表示所有字节的写信号（ BWA \\ ， BWB \\ ， BWC \\ ，
BWD \\ ）为高。 BWX = L表示所有字节写入信号是LOW 。
6. BWA \\能写入字节“A” （ DQA引脚） ; BWB \\能写入字节“B” （ DQB引脚） ; BWC \\能写到
字节“ C” （ DQC引脚） ; BWD \\能写入字节“ D” （ DQD引脚） 。
7.除OE \\和ZZ所有输入必须满足建立和保持CLK周围的上升沿时间（由低至高） 。
8.等待状态设置CKE \\ HIGH插入。
9.该设备包含的电路，这将确保输出将在高阻电期间。
10.该器件集成了一个2位的突发计数器。地址换到初始地址每四个突发周期。
11.地址计数器增加所有CONTINUE BURST周期。
AS5SS128K36
2.0版本12/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
7
