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中文ê （E T）
■
写地址/数据对到不同的
写缓冲器页不是由所选择的所述一个
写缓存数据负载时的起始地址
进行操作的阶段。
■
写入的数据比对后，确认命令等
数据加载周期的指定的次数。
中止条件由DQ1和DQ9 = 1表示，
DQ7和DQ15 = DATA ＃ （最后地址位置
加载） ， DQ6和DQ14 =切换，并DQ5和DQ13
= 0 。写至缓冲区中止复位命令序列
必须写入复位器件为下一个操作
化。需要注意的是完整的3周期写入到缓冲异常终止
在使用复位命令序列是必需的
写缓冲区编程的解锁绕道特点
模式。
编程允许以任何顺序和跨
扇区边界。
有一点不能被编程
从“0”回到“ 1”。
尝试这样做可能
导致设备设置DQ5和/或DQ13 = 1，或
导致DQ7和/或DQ15和DQ6和/或DQ14
状态位，用于指示操作是成功的。
然而，随后的读操作将表明，该数据是
还是“0”。只有擦除操作可以转换为“0”到
“1.”
加速计划
该器件提供加速方案业务
通过WP ＃ / ACC引脚。当系统断言
V
HH
在WP ＃ / ACC引脚，该设备可自动确保
逐张解锁旁路模式。该系统然后可以
写两个周期的解锁绕道程序命令
序列。该器件使用较高的电压
WP ＃ / ACC引脚加速操作。
注意
该
WP ＃ / ACC
脚绝不能在V
HH
运营
比加速编程，或设备损坏其它
可能会导致年龄。 WP ＃有一个内部上拉电阻;在非
连接， WP ＃是V
IH
.
图5示出了算法的编程操作
通报BULLETIN 。请参阅擦除和编程操作
表中的参数交流特性部分，
图17为时序图。
也就是说写缓冲区编程无法进行
在多个部门组成。如果系统尝试
加载所选择的外侧的编程数据
写缓存页面，操作将中止。
注意，如果一个写缓冲器地址位置是装载
多次时，地址/数据对计数器将
递减为每个数据加载操作。主人
系统亩stthere FO reaccount FO rloadinga
写缓冲单元不止一次。柜台癸
rements每个数据加载操作，而不是对每个
独特的写缓冲区地址的位置。还需要注意的是，如果
地址位置加载不止一次进入
缓冲器，加载该地址的最后数据将
编程。
一旦写入缓冲区的位置指定号码
已加载，系统必须那么写的亲
克缓冲区以扇区地址flash命令。
任何其他地址和数据的组合中止
写缓冲区编程操作。然后设备
开始编程。数据轮询应使用
同时监测的最后一个地址位置装入
写缓冲区。 DQ7和DQ15 ， DQ6和DQ14 ， DQ5
和DQ13和DQ1和DQ9应监测
在写缓冲器亲确定设备状态
编程。
写缓冲器编程操作可以是可持
使用标准程序挂起挂起/恢复
命令。在成功完成写的
缓冲区编程操作，该设备已准备好
执行下一个命令。
写缓冲区编程序列可以
中止在以下几个方面：
■
加载一个值，该值大于页缓冲器
位置数在大小节目
步骤。
■
写入到一个地址中比不同的扇区
1在写缓冲区的COM加载指定
命令。
2006年10月31日S70GL256M00_00_A1
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