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D A T A
中文ê （E T）
进入SecSi部门/退出SecSi部门
命令序列
该SecSi扇形区域提供了一个安全的数据区
含8双字/ 16字随机Elec-
tronic的序列号（ESN ） 。该系统可以访问
该SecSi扇形区域通过发出三个周期的
输入SecSi部门的命令序列。该装置
继续访问SecSi扇形区域，直到
系统发出的四冲程退出SecSi部门的COM
命令序列。退出SecSi部门命令SE-
quence将设备返回到正常操作状态。表
10
和
11
显示的地址和数据要求
这两个命令序列。另请参见“ SecSi （安全
硅）部门闪存区“更进一步的信息，
息。
注意， ACC功能和开锁旁通
模式不可用时， SecSi部门是恩
体健。
解锁绕道命令序列
解锁旁路功能，使系统能够亲
克的话到设备的速度比使用标
准程序命令序列。解锁绕道
命令序列时，首先写两个非启动
锁定周期。这之后是第三个写周期CON-
泰宁解锁旁路命令， 2020h 。该
然后设备进入解锁旁路模式。一个两赛扬
第一百解锁绕道程序命令序列是所有
在此模式来编程所必需的。在第一个周期
在这个序列中包含解锁绕道程序
命令， A0A0h ;在第二个周期中包含亲
克的地址和数据。其他数据是亲
编程以相同的方式。这种模式省去
在斯坦所需的初始两个解锁周期
准程序命令序列，从而加快
总编程时间。表
10
和
11
显示重
要求，可在命令序列。
在解锁旁路模式中，只有解锁附例
通过计划和解锁绕道复位命令
是有效的。要退出解锁旁路模式下，系统
必须发出两个周期的解锁旁路复位的COM
命令序列。在第一周期中必须包含数据
9090h 。第二个周期中必须包含的数据00H 。
然后设备返回到读取模式。
写缓冲区编程
写缓冲区编程允许系统写入到
最多16个双字/ 32字一个亲
编程操作。这样就可以快速有效
编程时间比标准编程AL-
gorithms 。写缓冲器编程命令
顺序是先写两个解锁周期开始。
这之后是含有第三写周期
写写在部门AD-缓冲加载命令
礼服将发生编程。第四
周期写入扇区地址与数
字位置，减去1 ，以进行编程。为前
充足的，如果系统编程6唯一的地址某一地址
阳离子，然后0505h应写入到设备。
这告诉该设备的写入缓存多少个地址
将被装入的数据，因此当预期
程序缓冲区到Flash命令。数
位置到程序不能超过的尺寸
写缓冲，否则操作将中止。
第五个周期中写入第一地址位置和
数据进行编程。写缓冲页面SE-
地址位A23 -A4进行选择。所有后续AD-
连衣裙/ datapairsmust发llwithinthe
选择写入缓冲区页。然后，系统写入
其余的地址/数据对写入写缓冲器。
写缓存位置可以以任何顺序进行加载。
写入缓冲页地址必须是相同的
所有的地址/数据对加载到写入缓冲器。
（这意味着写缓冲区编程无法进行
在多个写缓存的页面构成。这也
双/ Word程序命令
顺序
编程为四个总线周期操作。亲
克命令序列是由写两个启动
解锁写周期，随后程序建立
命令。程序地址和数据被写入
接下来，这又引发了嵌入式程序AL-
gorithm 。该系统是
不
需要提供进一步
控制或定时。设备会自动提供
内部产生的编程脉冲和验证
程序性细胞保证金。表
10
和
11
展示
对于单词程序地址和数据要求
命令序列。
当嵌入式编程算法完成，
那么设备返回到读模式和管理者
礼服不再锁定。该系统可以阻止 -
通过使用挖掘程序操作的状态
DQ7和DQ15或DQ6和DQ14 。参考写
关于这些台站的信息运行状态部分
状态位。
该雇期间写入设备的任何命令
床的程序算法被忽略。注意，以
硬件复位
立即终止程序
操作。该计划的命令序列，应
能够重新启动，一旦设备已经返回到读
模式，以确保数据的完整性。
注意， SecSi
部门，自动选择和CFI功能不可用
当在编程操作正在进行中。
编程允许以任何顺序和跨
扇区边界。
有一点不能被编程
从“0”回到“ 1”。
尝试这样做可能
导致设备设置DQ5和/或DQ13 = 1，或
导致DQ7和/或DQ15 ，和DQ6和/或DQ14
状态位，用于指示操作是成功的。
然而，随后的读操作将表明，该数据是
还是“0”。只有擦除操作可以转换为“0”到
“1.”
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S70GL256M00
2006年S70GL256M00_00_A1 10月31日，
