位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1566页 > APTC60AM35SCTG > APTC60AM35SCTG PDF资料 > APTC60AM35SCTG PDF资料1第1页
APTC60AM35SCTG
相脚
系列&碳化硅二极管并联
超级结
MOSFET功率模块
NT C2
VBUS
Q1
V
DSS
= 600V
R
DSON
= 35mΩ最大@ TJ = 25°C
I
D
= 72A @ T C = 25°C
应用
电机控制
开关电源
不间断电源
特点
G1
UT
S1
Q2
-
-
-
-
超低低R
DSON
低米勒电容
超低栅极电荷
额定雪崩能量
G2
0/VBUS
S2
NT C1
平行SiC肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 温度独立的开关行为
- 对VF正温度系数
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
OUT
VBUS
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1–8
APTC60AM35SCTG - 修订版3
好处
OUT
突出表现在高频率运行
0/VBUS
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
S2
S1
NTC2
无论是电源线和信号对可焊接端子
G1
G2
NTC1
简单的PCB安装
低调
符合RoHS
绝对最大额定值
符号
参数
最大额定值
单位
V
DSS
漏极 - 源极击穿电压
600
V
T
c
= 25°C
72
I
D
连续漏电流
A
T
c
= 80°C
54
I
DM
漏电流脉冲
288
V
GS
栅 - 源电压
±30
V
R
DSON
漏 - 源极导通电阻
35
m
P
D
最大功率耗散
T
c
= 25°C
416
W
I
AR
雪崩电流（重复，不重复）
20
A
E
AR
重复性雪崩能量
1
mJ
E
AS
单脉冲雪崩能量
1800
2006年7月
