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APTC60AM35SCTG
相脚
系列&碳化硅二极管并联
超级结
MOSFET功率模块
NT C2
VBUS
Q1
V
DSS
= 600V
R
DSON
= 35mΩ最大@ TJ = 25°C
I
D
= 72A @ T C = 25°C
应用
电机控制
开关电源
不间断电源
特点
G1
UT
S1
Q2
-
-
-
-
超低低R
DSON
低米勒电容
超低栅极电荷
额定雪崩能量
G2
0/VBUS
S2
NT C1
平行SiC肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 温度独立的开关行为
- 对VF正温度系数
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
OUT
VBUS
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1–8
APTC60AM35SCTG - 修订版3
好处
OUT
突出表现在高频率运行
0/VBUS
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
S2
S1
NTC2
无论是电源线和信号对可焊接端子
G1
G2
NTC1
简单的PCB安装
低调
符合RoHS
绝对最大额定值
符号
参数
最大额定值
单位
V
DSS
漏极 - 源极击穿电压
600
V
T
c
= 25°C
72
I
D
连续漏电流
A
T
c
= 80°C
54
I
DM
漏电流脉冲
288
V
GS
栅 - 源电压
±30
V
R
DSON
漏 - 源极导通电阻
35
m
P
D
最大功率耗散
T
c
= 25°C
416
W
I
AR
雪崩电流（重复，不重复）
20
A
E
AR
重复性雪崩能量
1
mJ
E
AS
单脉冲雪崩能量
1800
2006年7月
APTC60AM35SCTG
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
特征
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V,V
DS
= 600V
V
GS
= 0V,V
DS
= 600V
民
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2.1
典型值
V
GS
= 10V ，我
D
= 36A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2毫安
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0V
3
最大
50
500
35
3.9
±150
单位
A
m
V
nA
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 300V
I
D
= 72A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 400V
I
D
= 72A
R
G
= 2.5
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 400V
I
D
= 72A ，R
G
= 2.5
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 400V
I
D
= 72A ，R
G
= 2.5
民
典型值
14
5.13
0.42
518
58
222
21
30
283
84
804
1960
1315
2412
最大
单位
nF
nC
ns
J
J
串联二极管额定值和特性
符号特性
测试条件
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F
V
F
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
I
F
= 60A
I
F
= 120A
I
F
= 60A
I
F
= 60A
V
R
= 133V
的di / dt = 400A / μs的
V
R
=200V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
c
= 85°C
民
200
典型值
最大
350
600
单位
V
A
A
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
24
48
66
300
ns
nC
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2–8
APTC60AM35SCTG - 修订版3
2006年7月
60
1.1
1.4
0.9
1.15
V
APTC60AM35SCTG
并联碳化硅二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F
V
F
Q
C
C
最大峰值重复反向电压
测试条件
V
R
=600V
T
j
= 25°C
T
j
= 175°C
TC = 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 175°C
民
600
典型值
200
400
40
1.6
2.0
56
260
200
最大
800
4000
1.8
2.4
单位
V
A
A
V
nC
pF
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
总容性充电
总电容
I
F
= 40A
I
F
= 40A ，V
R
= 300V
的di / dt = 1200A / μs的
F = 1MHz时， V
R
= 200V
F = 1MHz时， V
R
= 400V
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
晶体管
串联二极管
民
典型值
并联二极管
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
最大
0.3
0.65
0.8
150
125
100
4.7
160
单位
° C / W
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
M5
2500
-40
-40
-40
2.5
V
°C
牛米
g
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
1
R
T
：热敏电阻在T值
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3–8
APTC60AM35SCTG - 修订版3
2006年7月
APTC60AM35SCTG
SP4封装外形
（单位：mm ）
所有尺寸注明" * "如TOLERENCED ：
请参阅应用笔记APT0501 - 安装说明书SP4电源模块上www.microsemi.com
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4–8
APTC60AM35SCTG - 修订版3
2006年7月
APTC60AM35SCTG
典型的CoolMOS性能曲线
0.35
热阻抗（ ℃/ W）
0.3
0.25
0.2
0.5
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.9
0.7
0.15
0.1
0.05
0.3
0.1
0.05
单脉冲
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
低电压输出特性
400
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0
0
280
6.5V
6V
5.5V
5V
4.5V
4V
Transfert特点
240
200
160
120
80
40
0
0
1
T
J
=125°C
T
J
=25°C
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） xR的
DS
（上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
=15&10V
T
J
=-55°C
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS
（ ON）与漏电流
25
2
3
4
5
6
V
GS
，门源电压（ V）
7
R
DS
（上）漏源导通电阻
1.1
1.05
1
0.95
0.9
0
20
40
60
80
100
120
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，直流漏电流（ A）
归一
V
GS
= 10V @ 36A
V
GS
=10V
直流漏电流与外壳温度
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2006年7月
5–8
APTC60AM35SCTG - 修订版3
V
GS
=20V
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
150
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