5SMY 12H1200
IGBT特征值
参数
收集器（发射极）
击穿电压
集电极 - 发射极
饱和电压
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
2)
符号条件
V
（ BR ） CES
V
CE坐
I
CES
I
GES
V
GE （ TO ）
Q
ge
C
IES
C
OES
C
水库
R
GINT
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
CC
= 600 V，I
C
= 57 A,
R
G
= 18
,
V
GE
=
±15
V,
L
σ
= 60 nH的，
感性负载
V
CC
= 600 V，I
C
= 57 A,
R
G
= 18
,
V
GE
=
±15
V,
L
σ
= 60 nH的，
感性负载
V
CC
= 600 V，I
C
= 57 A,
V
GE
= ± 15 V ，R
G
= 18
,
L
σ
= 60 nH的，
感性负载，
FWD ： 5SLX 12E1200
V
CC
= 600 V，I
C
= 57 A,
V
GE
= ± 15 V ，R
G
= 18
,
L
σ
= 60 nH的，
感性负载
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
V
GE
= 0 V，I
C
= 1毫安，T
vj
= 25 °C
I
C
= 57 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
民
1200
典型值
最大
单位
V
1.8
2.0
100
200
-200
5
6.2
611
4.29
0.30
0.20
10
270
290
60
60
480
550
60
65
6.0
200
7
V
V
A
A
nA
V
nC
nF
ns
ns
ns
ns
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V，T
vj
= 125 °C
I
C
= 2毫安， V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25 °C
I
C
= 57 A，V
CE
= 600 V, V
GE
= -15 ..15 V
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1MHz时，
T
vj
= 25 °C
导通开关能量
E
on
mJ
8.4
3.7
mJ
5.8
270
A
关断开关能量
E
关闭
短路电流
2)
I
SC
t
PSC
≤
10
μs,
V
GE
= 15 V ，T
vj
= 125 °C,
V
CC
= 900 V, V
CEM
≤
1200 V
9 - 根据IEC 60747的特征值
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA1638-01 2006年9月
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