V
CE
I
C
=
=
1200 V
57 A
IGBT -模具
5SMY 12H1200
芯片尺寸： 9.1 X 9.1毫米
文档。第5SYA1638-01 2006年9月
超低损耗薄IGBT芯片
高度坚固的SPT
+
设计
大粘合发射区
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
栅极 - 发射极电压
IGBT短路SOA
结温
1)
1)
符号条件
V
CES
I
C
I
CM
V
GES
t
PSC
T
vj
V
CC
= 900 V, V
CEM
≤
1200 V
V
GE
≤
15 V ，T
vj
≤
125 °C
限制T
vjmax
V
GE
= 0 V ，T
vj
≥
25 °C
民
最大
1200
57
114
单位
V
A
A
V
s
°C
-20
20
10
-40
150
最大额定值表示超越其损坏设备的限制，符合IEC 60747 ，可能会发生 - 9
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
