
5SGA 30J2501
反向雪崩能力
在操作过程中有一个反并联续流二极管, GTO的反向电压
V
R
可能超过速率
值V
RRM
由于杂散电感和二极管的导通电压尖峰高di / dt 。在GTO是那么
打入反向雪崩。这种情况是不危险的GTO提供了雪崩的时间
和电流分别低于10 μs至1000 A 。然而,栅极电压必须保持负
在这段时间。建议: V
GR
= 10… 15 V.
ABB瑞士公司,半导体公司保留更改产品规格,恕不另行通知。
ABB瑞士公司
半导体
Fabrikstrasse 3
CH -5600伦茨堡,瑞士
文档。第5SYA1213-02 1月5日
电话:+41 ( 0 ) 58 586 1419
传真
+41 (0)58 586 1306
电子邮件
abbsem@ch.abb.com
互联网www.abbsem.com