SC488
电源管理
应用信息（续）
最后，我们计算限流电阻值。由于DE-
刻划在电流限制部分，电流限制看起来
在“谷值电流”，这是平均输出电流
租金减去一半的纹波电流。
我VALLEY
IOUT
IRIPPLE_VBAT （MIN）
2
A
总是VDDQ2 ，无论调节器是否为
接收或输出电流。在这两种情况下的功率丢失
在VTT稳压器VTT * | ITT | 。平均或长期
应使用值的ITT 。的热敏电阻
MLPQ封装受PCB布局和可用
地平面以及导热过孔走。一个典型的
值是29°C /瓦。
例如：
ICCA = 1.5毫安
IDDP = 25毫安
VCCA = VDDP = 5V
VTT = 1.25V
ITT = 0.75A （平均）
环境= 45摄氏度
热阻= 29
在低电池电压的纹波，是因为我们想
以确保电流限制下不发生去甲
MAL工作条件。
ILIM
IVALLEY 1.2
R DS （ ON ） 1.4
10 10 6
欧
P
D
= 5V 0.0015 A + 5V 0.025A + 0.9V | 0.75 | A
在我们的例子：
I
谷
= 8.31A ，R
DS （ ON）
= 4MΩ ，进行圆弧
ILIM
= 5.62kΩ
散热注意事项
器件的结温，可以计算
如下：
T
J
= T
AMB
+
θ
JA
其中T
J
是结温度T
AMB
是环境
温度， PD是总SC488器件功耗。该
SC488器件损耗可以通过确定：
PD = VCCA ICCA + VDDP IDDP + VTT | ITT |
该
前两个条件是用于模拟和栅极驱动损耗
电路和一般不呈现热问题。
典型ICCA （ VCCA工作电流）粗略1.5毫安，
它创建了一个从5V电源电压VCCA 7.5MW损失。该
VDDP电源电流用于驱动MOSFET和
可以高得多，为30mA的数量级上，这可
创建多达耗散150毫瓦。
最后一项， VTT * | ITT | ，是最显着的长期
从热的观点来看。的VTT的调节器是一种线性
设备并消耗功率正比于VTT
电流和跨调节器的电压降。如果VTT
= VDDQ / 2，然后通过调节器上的电压降
PD = 0.808W
T
J
= T
AMB
+ P
D
T
JA
= 45 + 0.808W 29 ° C / W = 68.4 ℃，
布局指南
一个（或多个）的地平面被推荐
最小化的开关噪声和铜损的影响，
并最大限度地散热。该IC的接地参考，
VSSA ，应该连接到PGND1和PGND2作为
在散热垫，星型连接这所连接
使用4孔到接地平面。所有组件是
参考VSSA应该连接到它直接在芯片上
侧，而不是通过地层。
VDDQ ：
反馈跟踪必须保持远离
噪声源，如交换节点，电感器和
栅极驱动。在一个安静的一层，如果路线的反馈跟踪
可能的话，从输出电容器回芯片。芯片
电源去耦电容（ VCCA ， VDDP ）应
旁边的引脚（ VCCA / VSSA ， VDDP / PGND1 ）和
直接将它们连接在同一侧。
VTT ：
因为VTT稳压器的高带宽，
合适的元件布局和布线是必要的，以
防止不希望的高频振荡从而可以
被寄生电感和噪声引起的。输入
电容应位于VTT的输入引脚（ VTTIN
和PGND2 ） ，尽可能靠近芯片，以减少
寄生效应。输出电容应直接设在
VTT输出引脚（ VTT及PGND2 ） 。的路由
2006年升特公司
17
www.semtech.com
