电源管理
描述
该SC488是一个组合开关稳压器和线性
穗源/汇稳压器用于DDR1 / 2内存
系统。开关调节器的用途是gen-
中心提供全方位的电源电压， VDDQ，用于存储器系统。
这是一个伪科幻固定的频率恒定导通时间控制器
专为高英法fi效率，卓越的DC精度和快速
瞬态响应。线性源/汇的目的
调节器是生成该存储器终止电压
VTT ，具有源和汇2.8A峰值电流能力
租金。
为VDDQ调节器，开关频率是恒定
直至在负载或线路电压的步骤发生在该时间
脉冲密度，即，频率，会增加或减小，以
计数器的输出或输入电压瞬态变化。
瞬态之后，频率将返回到稳定状态的
操作。在轻负载时，可选择的省电
模式允许PWM转换器，以减少它的开关
频率，提高外汇基金fi效率。集成门
司机配备了自适应贯通保护和软件
切换。其他功能包括逐周期电流
限制，数字软启动，过压和欠压
保护和电源良好
股份公司。
为VTT调节器，其输出电压跟踪REF ，这
is ½ VDDQ to provide an accurate termination voltage.
VTT输出从1.2V到VDDQ输入所产生的
线性源/汇稳压器，是专为高
DC精度，快速瞬态响应，低外部
元件数量。所有三个输出（ VDDQ ， VTT和REF ）
积极出院时VDDQ被禁用，从而减少
外部元件数量和成本。该SC488是可用
能够在一个24引脚MLPQ （ 4×4毫米）封装。
完整的DDR1 / 2/3
显存供电
特点
恒定导通时间控制器，用于快速动态
反应在VDDQ
DDR1 / DDR2 / DDR3兼容
VDDQ =固定1.8V或2.5V ，或可调
1.5V至3.0V
1.5％的内部基准电压（ 2.5 ％系统精度）
电阻可编程导通时间为VDDQ
VCCA / VDDP范围从4.5V至5.5V
VIN范围从2.5V至25V
VDDQ直流电流检测用低侧R
DS （ ON）
传感
外部R
SENSE
在系列与低边FET
逐周期电流限制为VDDQ
数字软启动的VDDQ
模拟软启动VTT / REF
智能过电压VDDQ保护
联合EN和PSAVE引脚为VDDQ
过压/欠压故障保护
电源良好输出
独立VCCA和VDDP用品
VTT / REF范围= 0.75V - 1.5V
VTT源出/吸入2.8A峰值
内部电阻分压器的VTT / REF
VTT为高阻抗的S3
VDDQ ， VTT ，楼盘正在积极排出S4 / S5
24引脚MLPQ （ 4×4毫米）无铅封装
产品是完全WEEE和RoHS标准
SC488
应用
笔记本电脑
CPU的I / O电源
手持终端和掌上电脑
液晶显示器
网络电源
C2
0.1uF
Q1
VBAT
C3
2x10uF
典型应用电路
5V
VDDQ
VTT
VBAT
C4
10uF
C5
10uF
C1
1uF
1
2
VTTSNS
3
4
C7
1nF
R6
10R
REF
C9
1uF
C8
0.1uF
C10
1uF
5
6
D1
24
23
22
21
20
19
LX
BST
DL
VTT
L1
Q2
18
17
16
15
14
13
PAD
R4
R7
10R
C11
1uF
RILIM
C6
VDDQ
+
PGND2
VTTS
VSSA
吨
REF
VTTIN
DH
PGND1
U1
PGND1
ILIM
VDDP
VDDP
R1
1Meg
SC488
VDDQS
VTTEN
EN / PSV
VCCA
NC
PGD
NC
PGOOD
FB
PAD
10
11
12
7
8
9
5V
VDDQ
EN / PSV
VTT_EN
2006年9月28日
1
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SC488
电源管理
绝对最大额定值
超过下面的特定网络连接的阳离子可能导致对设备或设备故障造成永久性损坏。在参数特定网络版之外的操作
电气特性部分，是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下的时间过长可能会影响器件的可靠性。
参数
TON到VSSA
DH ， BST到PGND1
BST ，卫生署LX
LX至PGND1
DL ， ILIM ， VDDP为PGND1
VDDP为DL
VTTIN到PGND2 ; VTT至PGND2 ; VTTIN到VTT
EN / PSV ， FB ， PGD ，楼盘， VCCA ， VDDQS ， VTTEN ， VTTS到VSSA
VCCA为EN / PSV ， FB ，楼盘， VDDQS ， VTT ， VTTEN ， VTTIN ， VTTS
PGND1至PGND2 ; PGND1到VSSA ; PGND2到VSSA
热阻结到环境
(1)
工作结温范围
存储温度范围
峰值IR再溢流温度， 10秒 - 40秒
ESD保护等级
(2)
符号
最大
-0.3 25.0
-0.3 31.0
-0.3到+6.0
-2.0至25.0
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
-0.3到+0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
° C / W
°C
°C
°C
kV
θ
JA
T
J
T
英镑
T
PKG
V
ESD
29
-40到+150
-65到+150
260
2
注意事项：
1 ）从包装在静止空气中计算，安装3“× 4.5” ， 4层FR4 PCB ，每JESD51标准的裸露焊盘下的散热孔。
2 ）根据JEDEC标准JESD22 - A114 -B测试。
电气特性
测试条件： V
IN
= 15V ， VCCA = VDDP = VTTEN = EN / PSV = 5V ， VDDQ = VTTIN = 1.8V ，R
吨
= 1MΩ 。牛逼
AMB
= -40+ 85℃。
25°C
参数
条件
民
输入电源
VCCA工作电流
VCCA工作电流
VCCA工作电压
VDDP工作电流
TON工作电流
VTTIN工作电流
VCCA + VDDP + TON
关断电流
VTTIN关断电流
FB >调节点， IVDDQ = 0A
RTON = 1MΩ
IVTT = 0A
EN / PSV = VTTEN = 0V
EN / PSV = VTTEN = 0V
S0状态（ VTT上） ; EN / PSV = VCCA ;
FB >调节点， IVDDQ = 0A
S3状态（ VTT关闭） ; EN / PSV = VCCA ;
FB >调节点， IVDDQ = 0A
1500
800
5
70
15
1
5
1
典型值
最大
-40 ° C至85°C
单位
民
最大
2500
1400
4.5
5.5
150
μA
μA
V
μA
μA
5
22
μA
μA
μA
2006年升特公司
2
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SC488
电源管理
电气特性（续）
25°C
参数
条件
民
VDDQ控制器
FB误差比较
门槛
(1)
VDDQS调节门限
带有可调电阻分压器
FB = AGND
FB = VCCA
RTON = 1MΩ ， VDDQ = 1.8V
RTON = 500kΩ的， VDDQ = 1.8V
1.500
2.5
1.8
460
265
400
FB < 0.3V
FB > 0.3V
EN / PSV = GND
80
91
16
-1.0
8
1.0
1.4775
2.4625
1.773
368
212
1.5225
2.5375
1.827
552
318
550
V
V
V
ns
ns
kΩ
Ω
μA
%
典型值
最大
民
最大
-40 ° C至85°C
单位
ON- TIME
最小关断时间
VDDQS输入电阻
VDDQS关闭
放电电阻
FB漏电流
智能VDDQ
PSAVE门槛
VTT控制器
REF源电流
REF水槽电阻
REF输出精度
关断放电
电阻（ EN / PSV = GND）
VTT输出精度
（相对于REF）的
VTTS漏电流
电流检测
ILIM电流
电流比较器的失调
过零阈值
VDDQ故障保护
10
50
IREF = 0至10mA
VTT
REF
-2A <我
VTT
< 2A
(9)
900
0.32
8
0
-40
-1.0
+40
1.0
882
918
mA
kΩ
mV
Ω
mV
μA
DL高
PGND1 - ILIM
PGND1 - LX ， EN / PSV = 5V
10
9
-10
11
10
μA
mV
mV
5
PGND1 - LX ， RLIM = 5kΩ的
电流限制（正）
(2)
PGND1 - LX ， RLIM = 10kΩ的
PGND1 - LX ， RLIM = 20kΩ的
电流限制（负）
输出欠压故障
PGND1 - LX
相对于FB调节点
50
100
200
-125
-30
35
80
170
-160
-35
65
120
230
-90
-25
mV
%
mV
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SC488
电源管理
电气特性（续）
25°C
参数
条件
民
门驱动器
拍摄流通保护
延迟
(4)(7)
DL下拉电阻
DL灌电流
DL拉电阻
DL源电流
DH下拉电阻
DH拉电阻
(8)
DH吸入/源出电流
VTT上拉电阻
VTT下拉电阻
VTT峰值吸入/源
当前
(9)
DH或DL上升
DL低
V
DL
= 2.5V
DL高
V
DL
= 2.5V
DH低， BST - LX = 5V
DH高， BST - LX = 5V
V
DH
= 2.5V
VTTS < REF
VTTS > REF
30
0.8
3.1
2
1.3
2
2
1.3
0.25
0.32
2.8
ns
Ω
A
Ω
A
Ω
Ω
A
Ω
Ω
A
典型值
最大
民
最大
-40 ° C至85°C
单位
注意事项：
1） VDDQ直流稳压电平大于由脉动电压的50％的FB误差比较器阈值更高。
2）使用一个电流检测电阻，该测量涉及PGND1减去低侧MOSFET的源极。
3 ） CLKS =开关周期，由一个高侧和低压侧栅极脉冲。
4 ）通过设计保证。
5 ）热关断锁存两个输出（ VTT和VDDQ ）关闭，需要VCCA或EN / PSV循环复位。
6 ） VTT软启动斜坡率限制在5.5mV /μs的典型。如果VDDQ / 2斜升速率低于5.5mV /微秒速度越慢， VTT软启动斜坡将跟随VDDQ / 2
坡道。
7 ）请参见下面的贯通延迟时序图。
8 ） Semtech的SmartDriver FET驱动器
首先拉DH高， 10Ω的上拉电阻（典型值），直到LX = 1.5V （典型值） 。在这一点上，附加上拉器件
被激活时，减少到2Ω （典型值）的电阻。这就形成了一个较软的导通以最小的功率损耗，从而无需外部栅极或升压
电阻器。
低于T 9 ）提供的操作
J（下最大）
被保持。 VTT的输出电流也受到内部电阻的MOSFET通常是0.32Ω ，在25 ℃，其中
随着温度的增加，并通过可用的源极电压（通常为VDDQ / 2）。
直通延迟时序图
LX
DH
DL
DL
tplhDL
2006年升特公司
5
tplhDH
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