SC488
电源管理
应用信息（续）
电源良好输出
在VDDQ控制器具有一个电源良好（ PGD ）的输出。动力
好是一个开漏输出，需要一个上拉电阻。
当输出电压为16 ％/ - 10从它的标称％
电压， PGD被拉低。它保持为低电平，直到输出
电压恢复到内16 ％/ - 标称的10％。 PGD是
同时保持低在启动时并不会被允许
从高至软启动结束，输出达到
其90％的设定电压。有内置的一个5微秒的延迟
PGD电路，防止虚假的转变。
输出过电压保护
当VDDQ输入输出超过其设定电压的16 ％，则
低边MOSFET被锁存。它保持锁定和
SMPS直到EN / PSV输入切换或VCCA保持关闭
被回收。有内置的OV保护一个5μs的延迟
化电路，防止虚假的转变。在一个VDDQ OV
关机， VTT是活着，直到VDDQ下降到0.4V典型，在
这一点VTT为三态。
当VTT的超过12％以上的它的设定电压时，所述的VTT
监管机构将三态。有一个延迟为50μs ，以防止假
OV车次由于瞬变和噪声。在VDDQ调节器
继续VTT OV关机后进行操作。在VTT OV
条件是通过切换VTTEN或EN / PSV ，或删除
回收VCCA 。
智能过压保护
在一些应用中，在VDDQ的有源负载可以气动执行
盟友漏电流为VDDQ 。如果PSAVE模式在启用
很轻的装载，此泄漏会导致VDDQ缓慢上升
并达到OV阈值，从而导致硬关机。对
防止这种情况， SC488使用智能过压保护，以防止这一点。
当VDDQ超过上述标称的8％ ， DL驱动器高
打开低侧MOSFET ，它开始汲取电流
从经由电感器VDDQ 。当VDDQ下降到FB
跳变点，一个正常的TON开关周期的开始。该预
通风口硬过压关断。
输出欠压保护
当VDDQ下降30 ％，低于其设定点八个时钟
周期中， VDDQ输出被切断;在DL / DH驱动器
拉低到三态的MOSFET和开关电源保持
关闭，直到使能输入被切换或VCCA被回收。
当VTT的是12％低于其设定电压VTT输出是
三态。有一个50μs的延迟， VTT内置于紫外
保护电路，防止虚假的转变。
POR ， UVLO和软启动
内部上电复位（ POR）时发生VCCA
超过3V ，复位故障锁存器和软启动柜，
并准备了PWM的开关。 VCCA欠压
锁定（UVLO ）电路禁止开关和三态
司机直到VCCA高于4.2V 。此时的
电路将UVLO来出，并开始切换和
软启动电路将逐渐限制输出电流
在一个预先确定的时间段。发生在坡道
四步： 25％，50 ％，75 ％和100％ ，从而限制
输出电压的转换速率。还有为100mV
滞后内置的UVLO电路，当VCCA下降
以4.1V的输出驱动器都将关闭并三态。
MOSFET栅极驱动器
DH和DL驱动程序中度优化，
桥臂，以及较大的低侧功率MOSFET。自适应
死区时间电路监视DL输出，防止
从开机到DL高边MOSFET完全关闭，
相反，监控DH输出，防止低
从开机到DH侧MOSFET完全关闭。
（注：一定有低电阻，低电感
之间的DH和DL输出，每个MOSFET的栅极。 ）
设计步骤
之前设计的开关模式电源的笔记本
计算机，输入电压，负载电流，开关
频率和电感纹波电流必须是特定网络版。
输入电压范围
最大输入电压（ VINMAX ）被确定
最高AC适配器电压。最小输入电压
（ VINMIN ）通过后的最低电池电压测定
占电压由于连接器，保险丝和
电池选择开关。
最大负载电流
有负载电流的两个值来考虑：
连续负载电流和峰值负载电流。
连续负载电流有更多的是与热
强调并因此带动输入的选择
电容， MOSFET和整流二极管。高峰负荷
电流决定瞬时元件应力
和
滤波要求，例如，电感饱和，
输出电容和电流限制电路的设计。
2006年升特公司
11
www.semtech.com
