飞利浦半导体
74AUP1G332
低功耗的三输入或门
表9 ：
动态特性
- 续
电压参考GND（地= 0V） ;测试电路见
图8
符号
C
PD
参数
条件
[2] [3]
民
典型值
[1]
最大
单位
T
AMB
= 25
°C
功耗电容F = 1兆赫
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V至1.3 V
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
[1]
[2]
所有典型值是在额定V测
CC
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
[3]
的条件为V
I
= GND到V
CC
.
-
-
-
-
-
-
3.1
3.2
3.2
3.4
3.8
4.3
-
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
pF
pF
pF
表10 ：动态特性
电压参考GND（地= 0V） ;测试电路见
图8
符号
C
L
= 5 pF的
t
PHL
, t
PLH
HIGH到LOW和
低到高
传播延迟
A， B和C为Y
SEE
图7
V
CC
= 1.1 V至1.3 V
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
C
L
= 10 pF的
t
PHL
, t
PLH
HIGH到LOW和
低到高
传播延迟
A， B和C为Y
SEE
图7
V
CC
= 1.1 V至1.3 V
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
2.4
2.0
1.9
1.5
1.4
12.0
7.3
5.8
4.5
3.9
2.4
2.0
1.9
1.5
1.4
12.0
7.6
6.1
4.7
4.1
ns
ns
ns
ns
ns
2.0
1.9
1.4
1.2
1.1
10.3
6.4
5.2
3.7
3.1
2.0
1.9
1.4
1.2
1.1
10.3
6.6
5.4
3.9
3.3
ns
ns
ns
ns
ns
参数
条件
40 °C
+85
°C
民
最大
40 °C
+125
°C
民
最大
单位
74AUP1G332_1
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初步数据表
启示录01.00 - 2006年2月27日
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