数据表号PD- 6.076
IR02H420
高压半桥
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
在半桥结构的输出功率MOSFET
500V额定击穿电压
设计为引导操作的高侧栅极驱动器
匹配的传播延迟为两个通道
独立的高侧和低侧输出通道
欠压锁定
5V施密特触发输入逻辑
半桥输出的相位差HIN
产品概述
V
IN
（最大）
t
开/关
t
rr
R
DS （ ON）
P
D
(T
A
= 25 C)
500V
130纳秒
270纳秒
3.0
2.0W
描述
该IR02H420是一个高电压，高转速的一半
桥梁。专有的HVIC和锁存免疫CMOS
技术，随着HEXFET
动力
MOSFET技术，使单一的坚固耐用
封装结构。逻辑输入兼容
与标准CMOS或LSTTL输出。前端
拥有一个独立的高侧和低侧驱动器
相位与逻辑兼容的输入信号。该
产量
设有一个半桥2 HEXFETs
具有高脉冲电流缓冲级配置
设计用于最小交叉传导，在半
桥梁。传播延迟的高侧和低侧
功率MOSFET相匹配，以简化使用。该
设备可运行在高达500伏。
包
IR02H420
9506
典型连接
ü P
V在
T O服务
5 0 0 V D C B美
IR 0 2 H 4 2 0
V
C C
1
V
C C
V
B
6
h的
2
h的
9
V在
L IN
3
L IN
7
V
T O服务
4
C 0 M
1。· A D
C 0 M
