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PIC16F87X
4.6
写入闪存程序
内存
控制位（ EECON1<7> ） ，然后将控制位WR
（ EECON1<1> ） 。在实施例4-4中的顺序必须是
接着开始写程序存储器。
那么，微控制器将暂停内部操作
在接下来的两个指令周期于T
PEW
（参数D133 ），其中写操作为止。这
不是休眠模式，因为时钟和外设将
继续运行。因此，这两个指示采取后续
荷兰国际集团的“ BSF
EECON ， WR “
应
NOP
指令。
写周期后，单片机将恢复
处理EECON1后第3指令
写指令。
FLASH存储器的话可能只
写入如果单词是在非保护码段
内存和WRT CON组fi guration位换货设置。
写一个FLASH程序位置，前两个字节
地址必须写入EEADR和
EEADRH寄存器和2个字节的数据到
EEDATA和EEDATH寄存器，设置的EEPGD
例4-4 ：
FLASH程序写入
BSF
BCF
MOVLW
MOVWF
MOVLW
MOVWF
MOVLW
MOVWF
MOVLW
MOVWF
BSF
BSF
BSF
STATUS ， RP1
STATUS ， RP0
ADDRH
EEADRH
ADDRL
EEADR
Datah
EEDATH
数据1
EEDATA
STATUS ， RP0
EECON1 ， EEPGD
EECON1 ，雷恩
;
;银行2
;
;的程序地址高字节读取
;
;的程序地址低字节读
;
; MS程序存储器写入值
;
; LS程序存储器写入值
; 3银行
;指向程序存储器
;能写操作
BCF
MOVLW
需要
顺序
MOVWF
MOVLW
MOVWF
BSF
INTCON ， GIE
55h
EECON2
AAH
EECON2
EECON1 ， WR
;禁止中断
;
;写55H
;
;寄存器写入AAH
;将WR位，开始写
NOP
NOP
;说明这里是由微控制器忽略
;单片机将停止运行，等待
;一个写完整。写后
;微控制器继续第三指令
BSF
BCF
INTCON ，
GIE
;允许中断
;禁止写入
EECON1 ，雷恩
4.7
写校验
根据不同的应用，良好的编程区域动脉灌注化疗
蒂斯可以规定该值写入到存储器
对照原始值进行校验。这
要在应用中写入过多的使用
可以接近规范的限制位。
一般写入失败将是一个有点被写
为'1'，但是读回为'0'（由于泄漏断
位）。
1999 Microchip的技术公司
DS30292B第45页
