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PIC16F87X
4.3
读数据EEPROM存储器
例4-1：
BSF
BCF
MOVLW
MOVWF
BSF
BCF
BSF
BCF
MOVF
要读取的数据存储位置，用户必须编写
解决EEADR寄存器，清除的EEPGD
控制位（ EECON1<7> ） ，然后将控制位RD
（ EECON1<0> ） 。该数据是在紧接着的下一个可用的
EEDATA寄存器的指令周期，因此，
可以由下一个指令读取。 EEDATA将举行
看到它的值，直到另一个操作或直到它令状
10由用户（在写操作期间）。
读数据EEPROM
STATUS ， RP1 ;
STATUS ， RP0 ;银行2
DATA_EE_ADDR ;
EEADR
;数据存储器地址读取
STATUS ， RP0 ;银行3
EECON1 ， EEPGD ;点数据存储器
EECON1 ， RD
; EEPROM读
STATUS ， RP0 ;银行2
EEDATA ，W
; W = EEDATA
4.4
写入数据EEPROM存储器
要写入EEPROM数据存储单元，该地址必须
第一次被写入EEADR寄存器，并将数据写入
十EEDATA寄存器。然后，在序列
实施例4-2所必须遵循的启动写周期。
例4-2：
数据EEPROM写
BSF
BCF
MOVLW
MOVWF
MOVLW
MOVWF
BSF
BCF
BSF
STATUS ， RP1
STATUS ， RP0
DATA_EE_ADDR
EEADR
DATA_EE_DATA
EEDATA
STATUS ， RP0
;
;银行2
;
;数据存储器地址写
;
;数据存储器值写
; 3银行
EECON1 ， EEPGD ;点数据存储器
EECON1 ，雷恩
;能写操作
BCF
MOVLW
需要
顺序
MOVWF
MOVLW
MOVWF
BSF
BSF
睡觉
BCF
INTCON ， GIE
55h
EECON2
AAH
EECON2
EECON1 ， WR
INTCON ， GIE
;禁止中断
;
;写55H
;
;寄存器写入AAH
;将WR位，开始写
;允许中断
;等待中断信号写完成
EECON1 ，雷恩
;禁止写入
该操作将不会启动，如果上面的序列不
完全按照（ 55h写入EECON2 ，将AAh写入
EECON2 ，然后将WR位），每个字节。强烈
建议在中断期间，该被禁用
代码段。
此外，EECON1的WREN位必须设置为
能写操作。这种机制可以防止意外
写入数据EEPROM由于意外代码执行
cution （即程序失控） 。 WREN位应
保持清晰的时刻，在更新的时候，除了
EEPROM 。 WREN位不会被硬件清零
一个写序列启动，清除
WREN位将不会影响当前的写周期。西铁
位将被设置，除非WREN位被抑制
被设置。 WREN位必须在前一条指令集
化。 WR和WREN不能使用相同的设置
指令。
在写周期完成后，WR位
硬件清零和EEPROM写操作完成
中断标志位（ EEIF ）被置位。 EEIF必须被清除
软件。
1999 Microchip的技术公司
DS30292B第43页
