典型的N沟道MOSFET （ Q2 ）特性
1.8
T
A
= 25°C
1.6
V
GS
= 10V
1.4
V
DS
= 10V
1.2
T
A
= -55°C
T
A
= 25°C
1
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
0.8
新产品
I
D
,
漏电流（ A）
1.2
1.0
0.8
V
GS
= 5V
I
D
,
漏电流（ A）
1.4
V
GS
= 8V
V
GS
= 6V
V
GS
= 4V
0.6
0.4
0.2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
= 3V
0.6
T
A
= 150°C
0.4
0.2
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
,
漏源极电压（ V）
图。 9输出特性
V
GS
,
栅源电压（ V）
图。 10传输特性
2.2
V
GS （TH ）
栅极阈值电压（ V）
2
V
DS
= 10V
V
DS
= V
GS
I
D
= 0.25毫安
脉冲
5
V
GS
= 5V
脉冲
4
T
A
= 125°C
T
A
= 150°C
1.8
3
1.6
1.4
2
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
1.2
1
T
A
= -55°C
0
-75
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
0
0.001
T
J
，结温（ ° C）
图。 11栅极阈值电压
- 结温
0.1
0.01
I
D
,
漏电流（ A）
图。 12静态漏源导通电阻
与漏电流
1
4
V
GS
= 10V
脉冲
3
T
A
= 125°C
T
A
= 150°C
7
6
5
4
T
A
= 25°C
脉冲
2
T
A
= 85°C
3
I
D
= 115毫安
T
A
= 25°C
2
1
T
A
= -55°C
1
I
D
= 50毫安
0
0.001
0.01
0.1
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
GS ，
门源极电压（ V）
图。 14静态漏源导通电阻
与栅源电压
I
D
，漏电流（ A）
图。 13静态漏源导通电阻
与漏电流
DS30651启示录7 - 2
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LMN200B01
