无铅绿色
LMN200B01
200毫安负载开关具有预偏置PNP晶体管和N-MOSFET
与下拉电阻
概述
LMN200B01是最适合的应用场合的负载
需要进行开启和关闭使用控制电路，如开启
微控制器，比较器等，特别是在点
的负载。它具有稳定的离散导通晶体管
V
CE （ SAT ）
它不依赖于输入电压和
可以支持200 mA的连续最大电流。它
还包含一个离散的N-MOSFET ，可以用来作为
控制权。这N-MOSFET还具有一个内置的下拉
电阻器在其栅极。该组件可作为一个部件
的电路的或者作为一个独立的分立器件。
新产品
6
5
4
1
2
3
图。 1 ： SOT- 26
特点
电压控制的小信号开关
N-MOSFET与栅极下拉电阻
表面贴装封装
非常适合于自动装配程序
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注2 ）
C_Q1
6
B_Q1
5
S_Q2
4
C
Q1
PNP
机械数据
案例： SOT- 26
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：完成 - 雾锡比退火铜
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标识&类型代码信息：见最后一页
订购信息：见最后一页
重量： 0.016克（近似值）
子组件
DDTB142JU_DIE
DSNM6047_DIE
参考
Q1
Q2
设备类型
PNP晶体管
N-MOSFET
DDTB142JU_DIE
R2
B
470
R3
37K
E
R1
10K
S
Q2
NMOS
G
DSNM6047_DIE
D
1
E_Q1
2
G_Q2
3
D_Q2
图。 2原理图和引脚配置
R1 （ NOM ）
10K
R2 （ NOM ）
470
R3 （ NOM ）
37K
科幻gure
2
2
最大额定值，器件总
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率耗散（注3 ）
高于125 ° C功率降额因子
输出电流
符号
P
d
P
DER
I
OUT
价值
300
2.4
200
单位
mW
毫瓦/°C的
mA
热特性
特征
结操作和存储温度范围
热阻，结到环境空气（注3 ）
（相当于PNP晶体管的一个加热的交界处）
注意事项：
符号
T
j
,T
英镑
R
θJA
价值
-55到+150
417
单位
°C
° C / W
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
3.设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
DS30651启示录7 - 2
1 10
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LMN200B01
Diodes公司
电气特性：预偏置PNP晶体管（ Q1 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
单位
nA
nA
mA
V
V
V
V
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
V
V
K
K
测试条件
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
CE
= -50V ，我
B
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -2毫安，我
B
= 0
V
CE
= -5V ，我
C
= -100A
V
CC
= -5V, V
B
= -0.05V ，R
L
= 1K
V
CC
= -50V, V
I
= 0V
I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安
I
C
= -50mA ，我
B
= -5mA
I
C
= -20mA ，我
B
= -1mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -10mA
I
C
= -200mA ，我
B
= -10mA
I
C
= -200mA ，我
B
= -20mA
I
C
= -200mA ，我
B
= -10mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -20毫安
V
CE
= -5V ，我
C
= -50毫安
V
CE
= -5V ，我
C
= -100毫安
V
CE
= -5V ，我
C
= -200毫安
V
O
= -0.3V ，我
C
= -2毫安
V
CC
= -5V,
V
B
= -2.5V,
I
o
/I
I =
-50mA /-2.5mA
V
I
= -5V
V
CE
= -5V ，我
C
= -200mA
I
C
= -50mA ，我
B
= -5mA
I
C
= -80mA ，我
B
= -8mA
V
CE
= -10V ，我
E
= -5mA ，
F = 100MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0A,
F = 1MHz的
新产品
特征
开关特性
集电极 - 基极截断电流
集电极 - 发射极断路开关电流
发射基截断电流
发射基截断电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
输出电压
输出电流（漏电流相同，我
首席执行官
)
基本特征
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
我（关闭）
V
OH
I
O（关）
民
-50
-50
-4.9
典型值
-0.5
-0.55
150
215
245
250
-0.7
-0.065
-9.2
-1.125
-3.2
-4.55
0.47
10
21
最大
-100
-500
-1
-0.3
-500
-0.15
-0.2
-0.2
-0.25
-0.25
-0.3
1.5
-0.15
-13
-1.3
-3.6
-5.5
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
等效的导通电阻*
R
CE （ SAT ）
60
60
60
60
-2.45
直流电流增益
h
FE
输入电压
输出电压（等同于V
CE （ SAT ）
或V
O（上）
)
输入电流
基射极导通电压
基射极饱和电压
输入电阻（基地） ， +/- 30 ％
上拉电阻（基地Vcc电源） ， +/- 30 ％
电阻率（输入电阻器/上拉电阻） ， + / -20 ％
小信号特性
过渡频率（增益带宽积）
集电极电容， （ Ccbo输出电容）
*脉冲测试：脉冲宽度， tp<300
S,
占空比， d< = 0.02 。
V
我（上）
V
OL
I
i
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
R2
R1
R1/R2
f
T
C
C
200
20
兆赫
pF
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LMN200B01
新产品
电气特性：
N-MOSFET与栅极下拉电阻（ Q2 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性（注4 ）
漏源击穿电压BVDSS
零栅压漏电流（漏漏
电流）
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征（注4 ）
门源门限电压（电源控制
电压）
静态漏源通态电压
通态漏电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
门下拉电阻， +/- 30 ％
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性*
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
td
（上）
td
（关闭）
V
SD
I
S
I
SM
0.88
20
40
ns
ns
V
DD
= 30V, V
GS
=10V,
I
D
=的200mA，
R
G
= 25, R
L
= 150
V
GS
= 0V时，我
S
= 115毫安*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
50
25
5
pF
pF
pF
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V,
=
1MHz
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
R3
1
500
80
80
1.86
0.08
0.15
1.55
1.4
240
350
37
2.2
1.5
3.75
3
2
V
V
mA
mS
K
V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
GS
= 5V ，我
D
= 50毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 115毫安
V
GS
= 10V,
V
DS
≥2
V
DS （ ON）
V
GS
= 5V ，我
D
= 50毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
DS
≥2
V
DS （ ON）
, I
D
= 115毫安
V
DS
≥2
V
DS （ ON）
, I
D
= 200毫安
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
60
1
0.95
-0.95
V
A
mA
mA
V
GS
= 0V时，我
D
= 10A
V
GS
=0V, V
DS
= 60V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
符号
民
典型值
最大
单位
测试条件
源极 - 漏极（ BODY ）二极管的特性和最大额定值
漏源二极管正向导通电压
最大连续漏源二极管正向
电流（反向漏电流）
最大脉冲漏源二极管正向
当前
*脉冲测试：脉冲宽度， tp<300
S,
占空比， d< = 0.02 。
注意事项：
4.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
1.5
115
800
V
mA
mA
典型特征
350
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 3 ，最大功耗与环境温度
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