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（E S）我
I
ES
Excel的半导体公司。
程序状态位： DQ7 ， DQ6或RY / BY ＃
当嵌入式程序算法的COM
完整的，该设备然后返回到读模式并
地址不再锁定。该系统可
通过确定该程序操作的状态
使用DQ7 ， DQ6 ，或RY / BY ＃ 。参考写
运行状态部分表10的信息
这些状态位。
在解锁，旁路模式下，只有unlock-
绕行方案和解锁旁路复位的COM
要求主要有效。要退出解锁旁路模式，
该系统必须发出两个周期的解锁旁路
复位命令序列。第一周期必须CON组
覃数据90H 。第二周期只需要
包含的数据00H 。然后设备返回
阅读模式。
- 解锁旁路输入命令
- 解锁绕道复位命令
- 解锁绕道程序命令
任何编程过程中会忽略命令
明操作
在写入设备的任何命令
嵌入式程序算法被忽略。注意
硬件复位可以立刻终止
程序操作。该计划的命令
序列应该重新开始一次该装置具有
返回到读模式，以确保数据的完整性。
芯片擦除命令
要擦除整个存储器，芯片擦除命令
被使用。此命令是六总线周期的操作。
该芯片擦除命令序列由启动
写入两个解锁周期，接着一个建立的COM
命令。两个额外的解锁写周期，然后
其次是芯片擦除命令，而这又
调用嵌入式擦除算法。该芯片
擦除命令擦除整个存储器includ-
荷兰国际集团的所有其他部门，除了受保护的行业，
但在执行内部擦除操作
单扇区基地。
从“0”编程返回到“1”的
编程允许以任何顺序和
跨部门的界限。但有点不能亲
从“0”返回到“1”编程。试图这样做
可能导致设备设置DQ5 = 1，或导致
DQ7和DQ6的状态位，以指示该操作
是成功的。然而，随后的读操作将
表明，该数据仍然是“0”。只有擦除操作
可以转换为“0”到“1”
嵌入式擦除算法
该设备不要求系统前原
克擦除之前。嵌入式擦除algo-
rithm自动preprograms和验证
整个存储器用于前一个全零的数据模式
电擦除。到亲系统不需要
这些操作在韦迪的任何控制或定时
系统蒸发散。表9示出的地址和数据
对于芯片擦除命令的要求
序列。注意，自动选择和CFI的模式
是不可用的，而擦除操作是在
进度
解锁绕道
在ES29LV160装置，解锁旁路亲
克模式提供了更快速的编程能操作
通报BULLETIN 。在这种模式下，两个程序指令周期
序列可以被保存。要进入该模式下，
开启旁路输入命令应该先写入
到系统中。解锁旁路输入命令
顺序是先写两个解锁启动
周期。这之后是第三个写周期载
荷兰国际集团的解锁绕道命令， 20H 。该装置
然后进入解锁旁路编程模式。一
双循环解锁绕道程序命令
序列是所有在这个编程所需
模式。在这个序列中的第一个周期中包含的
解锁绕道程序设置命令：A0H ;该
第二个周期中包含的程序的地址和
数据。附加的数据编程在同一
方式。此模式省去了两个初始
解锁的标准程序所需的周期的COM
命令序列，从而导致更快的总编程
明时。表9示出了用于要求
命令序列。
清除状态位： DQ7 ， DQ6 ， DQ2或RY /
BY ＃
当嵌入式擦除算法完成，
设备返回到读模式和地址
不再锁定。该系统可以确定
擦除操作通过使用DQ7的状态，
DQ6 ， DQ2或RY / BY ＃ 。指的是写操作
化状态部分表10对这些信息
状态位。
命令时擦除操作忽略
在芯片擦除任何命令写操作
化被忽略。但是，请注意硬件
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启示录1C 2006年1月5日
ES29LV160D
