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（E S）我
I
ES
Excel的半导体公司。
ES29LV160D
16兆（ 2M ×8 / 1M ×16 ）
CMOS 3.0伏只，引导扇区闪存
一般特点
单电源工作
- 2.7V -3.6V读取，编程和擦除操作
最低100,000编程/擦除每个扇区周期
20年的数据保存在125
o
C
软件特点
产业结构
- 16K字节×1 ， 8K字节×2 ， 32K字节×1引导扇区
- 64K字节×31部门
顶部或底部启动块
- ES29LV160DT的热门引导块设备
- ES29LV160DB的底部引导块设备
封装选项
- 48引脚TSOP
- 48球FBGA （ 6毫米x 8毫米）
- 无铅封装
- 所有无铅产品均符合RoHS标准
低Vcc的禁止写入
在0.18微米工艺技术制造
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪存标准
擦除暂停/删除恢复
数据＃投票和切换的编程/擦除状态
支持CFI （通用闪存接口）
解锁绕道程序
自选模式
经T自动睡眠模式
加
+ 30ns的
硬件特性
硬件复位输入管脚（ RESET ＃ ）
- 提供一个硬件复位装置
- 任何内部装置的操作被终止，并且
设备返回的复位阅读模式
就绪/忙＃输出引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供编程或擦除操作状态
关于是否它被完成的读或仍在
进展
扇区保护/解除保护（ RESET ＃ ， A9 ）
- 硬件锁定的扇区，以防止方法
该部门内的任何编程或擦除操作
提供了两种方法： -
- 在系统内通过RESET ＃引脚的方法
- A9为PROM编程高电压的方法
临时机构unprotection的（ RESET ＃ ）
- 允许以前的临时解除保护
保护部门更改系统数据
设备性能
读取时间
- 为90ns / 120N正常的Vcc范围（ 2.7V - 3.6V ）
- 为70ns的受规管的Vcc范围（ 3.0V - 3.6V ）
编程和擦除时间
- 计划时间： 6US /字节， 8US /字（典型值）
- 扇区擦除时间： 0.7sec /扇区（典型值）
功耗（典型值）
- 为200nA待机或自动睡眠模式
- 9毫安在5 MHz有源读取电流
- 在程序15毫安活跃的写入电流或擦除
ES29LV160D
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启示录1C 2006年1月5日
