电气特性
静态电气特性
表3.静态电气特性（续）
特征条件下，指出-40 °
≤
T
A
≤
85℃，除非另有说明。使用的输入电压VIN1 = VIN2 = 3.3 V
典型应用电路（见
图33）
除非另有说明。
特征
降压转换器（续）
高侧功率MOSFET Q1的RDS （ ON）
(9),(10)
ID = 500毫安，T
A
= 25°C ， VBST = 8.0 V
低端功率MOSFET Q2的RDS （ ON）
(9),(10)
ID = 500毫安，T
A
= 25°C ， VBST = 8.0 V
降压转换器的峰值电流限制（高级别）
VOUT下拉MOSFET Q3电流限制
T
A
= 25°C ， VBST = 8.0 V
VOUT下拉MOSFET Q3
DS （ ON）
(10)
ID = 1.0 A， VBST = 8.0 V
热关断（ VOUT下拉MOSFET Q3 ）
(9)
热关断迟滞
(9)
笔记
仅9设计信息。该参数不生产测试。
10. ID指的是MOSFET的漏极电流
T
SD
T
SDHYS
R
DS （ ON）
–
150
–
–
170
10
1.9
190
–
°C
°C
I
LIMH
I
M3_LIM
0.75
–
2.0
R
DS （ ON）
–
-7.0
65
-4.7
–
-4.0
A
A
R
DS （ ON）
–
60
–
m
m
符号
民
典型值
最大
单位
34702
8
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
