电气特性
静态电气特性
表3.静态电气特性（续）
特征条件下，指出-40 °
≤
T
A
≤
85℃，除非另有说明。使用的输入电压VIN1 = VIN2 = 3.3 V
典型应用电路（见
图33）
除非另有说明。
特征
线性稳压器（ LDO ）
LDO电压反馈
(16)
VIN1 = VIN2 = 2.8 V至6.0 V， ILDO = 10 mA至千毫安。包括负载
调节误差
LDO电压余量步长
LDO电压裕量最高的正面价值
LDO电压余量最低负值
LDO线性调整率
(16)
VIN1 = VIN2 = 2.8 V至6.0 V， ILDO =千毫安
LDO的负载调整率
(16)
ILDO = 10 mA至千毫安
LDO纹波抑制，低压差电压
(16)
VDO = 1.0 V， VRIPPLE = 1.0 V P-P
正弦， F = 300千赫， ILDO = 500毫安
(15)
LDO最大压差电压（ VIN - VLDO ） ，使用IRL2703
(16)
VLDO = 2.5 V ， ILDO =千毫安
LDO电流检测比较器的阈值电压（ VCS - VLDO ）
LDO管脚输入电流， VLDO = 5.25 V
LDO反馈输入电流（ LFB引脚） ， VLFB = 0.8 V
LDO驱动器输出电流（ LDRV引脚） ， VLDRV = 0 V
CS引脚输入漏电流
VCS = 5.25 V
LDO下拉MOSFET Q4电流限制
T
A
= 25°C ， VBST = 8.0 V（ LDO管脚）
LDO下拉Q4 MOSFET的RDS（ ON）
ID = 1.0 A，V
BST
= 8.0 V
推荐LDO输出电容
推荐LDO输出电容的ESR
热关断（ LDO下拉MOSFET Q4 ）
(15)
热关断迟滞
(15)
C
LDO
E
SRCLDO
T
SD
T
SDHYS
R
DS （ ON）
–
–
–
150
–
–
10
5.0
170
10
1.9
–
–
190
–
F
m
°C
°C
I
M4_LIM
0.75
–
2.0
V
CSTH
I
LDO
I
LFB
I
LDRV
I
CSLK
50
–
200
A
V
DO
–
35
1.0
-1.0
-5.0
50
50
1.9
–
-3.3
75
65
4.0
1.0
-2.0
mV
mA
A
mA
A
mV
V
LDO_RR
–
40
–
REG
LDVLDO
-1.0
–
1.0
dB
V
MLDO
V
MP
V
MN
REG
LNVLDO
-1.0
–
1.0
%
V
LFB
0.784
–
5.9
-7.9
0.800
1.0
7.0
7.0
0.816
–
7.9
-5.9
%
%
%
%
V
符号
民
典型值
最大
单位
笔记
只有15的设计信息。该参数不生产测试。
16. IDO是指负载电流外部LDOFET - IRL2703是Intersil的MOSFET IRL2703
34702
10
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
