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EtronTech
T0
CLK
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
4M ×32 LPSDRAM
EM669325
图14.1 。交错列读周期（突发长度= 4 ， CAS＃延迟= 2 ）
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
t
CK2
CKE
CS ＃
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
BA0,1
A10
RAx上
RAx上
A0~A11
RAx上
沙洲
RAx上
CBW
CBX
CBY
沙洲
的CBz
DQM
t
RCD
t
AC2
DQ
高阻
Ax0
AX1 Ax2相
AX3 BW0
Bw1
Bx0 BX1
By0
BY1 AY0
Ay1
Bz0
BZ1 BZ2 BZ3
激活
命令
银行
读
命令
银行
激活
命令
B组
读
读
命令命令
B组
B组
读
命令
B组
读
命令
银行
读
命令
B组
预充电
命令
银行
预充电
命令
B组
初步
45
修订版0.6
2003年9月
