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EtronTech
4M ×32 LPSDRAM
EM669325
图12.2 。随机行写（交错银行）
（突发长度= 8 ， CAS＃延迟= 2 ）
T0
CLK
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
t
CK2
CKE
高
CS ＃
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
BA0,1
A10
RAx上
RBx上
光
A0~A11
RAx上
的CAx
RBx上
CBX
光
沙洲
t
RCD
DQM
t
WR *
t
RP
t
WR *
DQ
高阻
DAx0 DAX1 DAx2 DAx3 DAx4
DAx5
DAx6
DAx7 DBx0 DBx1 DBx2 DBx3 DBx4DBx5 DBx6 DBx7
DAy0 DAy1DAy2
第三天第四天
激活
写
命令命令
A银行银行A
激活
命令
B组
写
命令
B组
预充电
命令
银行
激活
命令
银行
写
命令
银行
预充电
命令
B组
*
t
WR
＆ GT ;吨
WR
（分）
初步
41
修订版0.6
2003年9月
