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EDD1232ABBH
在DDR SDRAM中运行
上电顺序
（ 1 ）接通电源并保持CKE处于LVCMOS低状态（所有其他投入是不确定的） 。
之前或同时为VDDQ施加VDD 。
之前或同时为VTT和VREF应用VDDQ 。
（ 2）启动时钟和保持稳定的条件，最低为200ps的。
（ 3 ）稳定的电源和时钟（ CK ， / CK ）的最小为200μs后，将NOP走CKE高。
（ 4 ）发行预充电的设备的所有命令。
（ 5 ）发行EMRS使DLL。
（ 6 ）发行模式寄存器设置命令（ MRS）的"DLL reset"有位A8为高（增加200周期
时钟输入需要锁定每个DLL复位后的DLL） 。
（ 7 ）发行预充电的设备的所有命令。
（8）第2期或多个自动刷新命令。
（ 9 ）发行模式寄存器设置命令初始化位A8一套设备操作到低分，以避免重置
该DLL 。
(4)
CK
/ CK
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
命令
PALL
EMRS
太太
PALL
t
RP
REF
REF
t
RFC
REF
t
RFC
太太
2个周期（分钟）
任何
命令
2个周期（分钟）
2个周期（分钟） 2次循环（分）
DLL与A8 =高复位
DLL使能
禁用DLL复位与A8 =低
200个周期（分钟）
上电顺序后， CKE变高
模式寄存器和扩展模式寄存器设置
有两种模式的寄存器，模式寄存器和扩展模式寄存器，从而限定了操作
模式。参数通过A0设定为两至A11和BA0 ， BA1引脚通过模式寄存器设置命令
[黄]或扩展模式寄存器设置命令[ EMRS ] 。该模式寄存器和扩展模式寄存器是
通过在模式寄存器设置循环通过A0输入信号为A11和BA0 ， BA1设定。 BA0和BA1确定
该模式寄存器或扩展模式寄存器中的一个设置。前一个读或写操作中，模式
寄存器必须设置。
提醒的是，在表中以下所示的任何其它参数都可以输入到寄存器。
BA0
0
太太
A8 DLL复位A6 A5 A4 CAS延迟
3
0 1 1
0无
1是的
A3突发类型
0顺序
1交错
突发长度
BA1 A11 A10 A9
0
0
0
0
A8
DR
A7
0
A6
A5
A4
A3
BT
A2
A1
BL
A0
LMODE
A2 A1 A0
0
0
0
0
1
1
BT = 0 BT = 1
2
2
1
4
4
0
1
8
8
模式寄存器设置[黄] （ BA0 = 0 ， BA1 = 0 ）
数据表E0874E40 （版本4.0 ）
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