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EDD1232ABBH
自动刷新命令[参考]
此命令执行自动刷新。银行和行地址被刷新在内部确定
由内部刷新控制器。平均更新周期是7.8
μs.
输出缓冲器为高阻后自动
刷新开始。预充电已自动刷新后自动完成。可以在ACT或MRS命令
在最后一次自动刷新命令后发表tRFC 。
自刷新进入[自拍]
此命令启动自刷新。自刷新操作继续，只要CKE保持为低。在自
刷新操作，所有的ROW地址被重复清凉由内部刷新控制器。自刷新是
由自刷新退出命令终止。
掉电模式进入[ PDEN ]
tPDEN （ = 1个周期）时发出[ PDEN ]的周期之后。在DDR SDRAM进入掉电模式。在
掉电模式下，功耗是停用输入初始电路抑制。掉电模式
持续而CKE保持为低。在掉电模式下，不发生内部刷新操作。 [ PDEN ]不
禁用的DLL 。
自刷新退出[ SELFX ]
这样的命令，从自刷新模式中退出。发行非读命令， TSNR必须被满足。
发出读命令时， tSRD ，必须满足由DLL来调整DOUT定时。 （ 200次循环后[ SELFX ] ）后
出口， 7.8μs内输入自动刷新命令。
掉电退出[ PDEX ]
在DDR SDRAM可从掉电模式tPDEX周期后退出时发出[ PDEX ] 。
数据表E0874E40 （版本4.0 ）
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