FDMA1025P双P沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
-V
GS
，门源电压（ V）
10
I
D
= -3.1A
1000
V
DD
= -8V
C
国际空间站
8
6
4
2
0
V
DD
= -10V
V
DD
= -12V
电容（pF）
C
OSS
100
C
RSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
0
2
4
6
Q
g
，栅极电荷（ NC）
8
10
0.1
1
10
-V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
20
100
V
GS
= -4.5V
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
150
–
T
A
-----------------------
-
125
T
A
= 25
o
C
10
-ID ，漏极电流（ A）
100us
1ms
单脉冲
TJ =最大额定
1
10ms
100ms
1s
10s
DC
10
I = I
25
0.1
R
θ
JA
= 173 C / W
o
TA = 25
O
C
0.01
0.1
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
1
0.6
-4
10
单脉冲
1
10
50
10
-3
-VDS ，漏源极电压（ V）
10
10
10
10
T，脉冲宽度（ S）
-2
-1
0
1
10
2
10
3
图9.正向偏置安全
工作区
图10.单脉冲最大
功耗
1
占空比，降序排列
归热
阻抗Z
θ
JA
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.01
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
单脉冲
0.001
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图11.瞬态热响应曲线
www.fairchildsemi.com
FDMA1025P Rev.B2
4
