FDMA1025P双P沟道PowerTrench
MOSFET
四月
2008
FDMA1025P
双P沟道PowerTrench
MOSFET
-20V ， -3.1A ，
155m
特点
概述
这个装置是专具体来说作为一个单一封装解决方案
对于在蜂窝手机和电池的充电开关等超 -
便携式应用。它配备了两个独立的P沟道
的MOSFET具有低通态电阻最小的传导
损失。当连接在典型的公共源极
配置，双向电流流动是可能的。
这些新产品的2x2封装提供卓越的热
表现为它的物理尺寸和适合于线性模式
应用程序。
最大
DS （ ON）
= 155mΩ在V
GS
=
–4.5V,
I
D
=
–3.1A
最大
DS （ ON）
= 220mΩ在V
GS
=
–2.5V,
I
D
=
–2.3A
低调 - 0.8毫米最大 - 在新的封装的MicroFET
2×2毫米
符合RoHS
tm
应用
直流 - 直流转换
销1
S1
G1
D2
D1
D2
D1
G2
S2
2×2的MicroFET
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续
-Pulsed
功率消耗单操作
功耗
工作和存储结温范围
（注1A ）
（注1B ）
（注1A ）
参数
评级
–20
±12
–3.1
–6
1.4
0.7
–55
+150
单位
V
V
A
W
°C
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
热阻单人操作，结到环境
热阻单人操作，结到环境
热电阻双操作，结到环境
热电阻双操作，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
86
173
69
151
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
025
设备
FDMA1025P
包
2×2的MicroFET
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2008飞兆半导体公司
FDMA1025P Rev.B2
1
www.fairchildsemi.com
4
3
D2 3
4
5
2
G1
2
5
6
1
S1
1
6
D1
G2
S2
