电气特性
符号
参数
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
条件
民
典型值
最大
单位
MOSFET电气特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
I
D（上）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
V
SD
B
V
I
R
V
F
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
=125°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.8 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A，V
GS
= 10 V
V
DD
= 10 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 6
30
1
20
100
-100
1
1.7
0.025
0.043
12
15
350
220
80
12
7.5
12
13
6
17
15
25
25
15
1.3
（注2 ）
V
A
A
nA
nA
V
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
通态漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
3
0.035
0.055
S
A
pF
pF
pF
nC
ns
ns
ns
ns
A
V
V
MOSFET漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向击穿电压
反向漏
正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
I
R
= 1毫安
V
R
= 30 V
I
F
= 0.1 A
I
F
= 3 A
I
F
= 6 A
0.8
30
1.2
肖特基二极管特性
0.5
280
420
500
78
40
mA
mV
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
注意事项：
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
° C / W
° C / W
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
is
通过设计保证，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 78
O
在一个0.5℃ / W的
2
垫2盎司覆铜。
b. 125
O
在0.02 C / W
2
垫2盎司覆铜。
c. 135
O
在一0.003 C / W
2
垫2盎司覆铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDFS6N303牧师D3
