2001年10月
FDFS6N303
N沟道MOSFET和肖特基二极管
概述
飞兆半导体的FETKEY技术结合
高细胞密度的MOSFET和低正向压降（ 0.35V ）
肖特基二极管成一个单一的表面贴装功率封装。
MOSFET和肖特基二极管的隔离内部的
封装。通用的引脚排列已被选定为
最大限度地提高灵活性和易用性。 FETKEY产品
特别适合用于切换应用，如直流/直流
降压，升压，同步和非同步的转换器
其中MOSFET驱动低至4.5V和快速
开关，高效率和小型PCB占位面积
is
可取的。
特点
6 A， 30 V
DS （ ON）
= 0.035
@ V
GS
= 10 V.
R
DS （ ON）
= 0.050
@ V
GS
= 4.5 V.
V
F
< 0.28 V @ 0.1 A
V
F
< 0.42 V @ 3一
V
F
< 0.50 V @ 6 A.
肖特基和MOSFET整合到单电
表面贴装的SO - 8封装。
通用的引脚设计灵活性。
理想的DC / DC转换器应用。
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
C
C
D
A
A
S
1
2
3
4
8
7
6
5
C
C
D
D
S
DF 03
F 3
6N
G
A
S
G
SO-8
针
1
A
MOSFET的最大额定值
符号
参数
T
A
= 25
o
C除非另有说明
FDFS6N303
单位
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1C ）
（注1A ）
30
±20
6
30
2
1.6
0.9
-55到150
V
V
A
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
T
A
= 25
o
C除非另有说明
°C
肖特基二极管的最大额定值
V
RRM
I
O
反向重复峰值电压
平均正向电流
30
（注1A ）
V
A
2
2001仙童半导体公司
FDFS6N303 D1牧师
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
条件
民
典型值
最大
单位
MOSFET电气特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
I
D（上）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
V
SD
B
V
I
R
V
F
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
=125°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.8 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A，V
GS
= 10 V
V
DD
= 10 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 6
30
1
20
100
-100
1
1.7
0.025
0.043
12
15
350
220
80
12
7.5
12
13
6
17
15
25
25
15
1.3
（注2 ）
V
A
A
nA
nA
V
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
通态漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
3
0.035
0.05
S
A
pF
pF
pF
nC
ns
ns
ns
ns
A
V
V
MOSFET漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向击穿电压
反向漏
正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
I
R
= 1毫安
V
R
= 30 V
I
F
= 0.1 A
I
F
= 3 A
I
F
= 6 A
0.8
30
1.2
肖特基二极管特性
0.5
280
420
500
78
40
mA
mV
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
注意事项：
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
° C / W
° C / W
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
is
通过设计保证，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 78
O
在一个0.5℃ / W的
2
垫2盎司覆铜。
b. 125
O
在0.02 C / W
2
垫2盎司覆铜。
c. 135
O
在一0.003 C / W
2
垫2盎司覆铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDFS6N303 D1牧师
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
CoolFET
FASTr
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK
GTO
2
TM
ê CMOS
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
牧师I1
2003年10月
FDFS6N303
N沟道MOSFET和肖特基二极管
概述
该FDFS6N303采用了高密度的MOSFET
和低正向压降（ 0.35V ）肖特基二极管成一个单一的
表面贴装功率封装。 MOSFET和肖特基
二极管被隔离的封装内。在一般用途
姿势引脚排列已被选定为最大限度地提高灵活性和
放心使用。本产品是特别适合于开关
ing应用诸如DC / DC降压，升压，同步
并且其中所述的MOSFET驱动的非同步转换器
低至4.5V和快速开关，高效率和
小的PCB占位面积
是理想的。
特点
6 A， 30 V
DS （ ON）
= 0.035
@ V
GS
= 10 V.
R
DS （ ON）
= 0.055
@ V
GS
= 4.5 V.
V
F
< 0.28 V @ 0.1 A
V
F
< 0.42 V @ 3一
V
F
< 0.50 V @ 6 A.
肖特基和MOSFET整合到单电
表面贴装的SO - 8封装。
通用的引脚设计灵活性。
理想的DC / DC转换器应用。
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
C
C
D
A
A
S
1
2
3
4
8
7
6
5
C
C
D
D
S
DF 03
F 3
6N
G
A
S
G
SO-8
针
1
A
MOSFET的最大额定值
符号
参数
T
A
= 25
o
C除非另有说明
FDFS6N303
单位
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1C ）
（注1A ）
30
±20
6
30
2
1.6
0.9
-55到150
V
V
A
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
T
A
= 25
o
C除非另有说明
°C
肖特基二极管的最大额定值
V
RRM
I
O
反向重复峰值电压
平均正向电流
30
（注1A ）
V
A
2
2003仙童半导体公司
FDFS6N303牧师D3
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
条件
民
典型值
最大
单位
MOSFET电气特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
I
D（上）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
V
SD
B
V
I
R
V
F
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
=125°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.8 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A，V
GS
= 10 V
V
DD
= 10 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 6
30
1
20
100
-100
1
1.7
0.025
0.043
12
15
350
220
80
12
7.5
12
13
6
17
15
25
25
15
1.3
（注2 ）
V
A
A
nA
nA
V
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
通态漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
3
0.035
0.055
S
A
pF
pF
pF
nC
ns
ns
ns
ns
A
V
V
MOSFET漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向击穿电压
反向漏
正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
I
R
= 1毫安
V
R
= 30 V
I
F
= 0.1 A
I
F
= 3 A
I
F
= 6 A
0.8
30
1.2
肖特基二极管特性
0.5
280
420
500
78
40
mA
mV
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
注意事项：
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
° C / W
° C / W
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
is
通过设计保证，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 78
O
在一个0.5℃ / W的
2
垫2盎司覆铜。
b. 125
O
在0.02 C / W
2
垫2盎司覆铜。
c. 135
O
在一0.003 C / W
2
垫2盎司覆铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDFS6N303牧师D3
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
深不见底
FASTr
CoolFET
FRFET
CROSSVOLT
GlobalOptoisolator
DOME
GTO
EcoSPARK HiSeC
E
2
CMOS
TM
I
2
C
EnSigna
TM
ImpliedDisconnect
FACT
等平面
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师I5
QQ：2880707522 复制
