FDFC2P100集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
2006年10月
FDFC2P100
集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
-20V ， -3A ， 150mΩ
特点
最大
DS （ ON）
= 150mΩ在V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.0A
最大
DS （ ON）
=在200mΩ在V
GS
= -2.5V ，我
D
= -2.2A
低栅极电荷（ 3.4nC典型值）
紧凑的工业标准SuperSOT
TM
-6包
概述
该FDFC2P100结合的卓越性能
飞兆半导体的PowerTrench MOSFET技术，以非常低
正向压降肖特基势垒整流器的SSOT- 6
封装。
这个装置是专具体来说作为一个单一封装解决方案
为DC至DC转换器。它的特点是快速切换，低门
充电MOSFET具有极低的导通电阻。显著
改善热特性和功率耗散
通过更换独立连接肖特基与
肖特基二极管阴极的PN内部连接到P沟道
PowerTrench MOSFET的漏极引脚。
肖特基：
V
F
< 0.45 V ，在我
F
= 1A
符合RoHS
C / D
C / D
C / D
销1
SuperSOT
TM
-6
4
5
6
3
2
1
G
S
A
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
V
RRM
I
O
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续
-Pulsed
功耗
肖特基重复峰值反向电压
肖特基平均正向电流
工作和存储结温范围
（注1A ）
（注1A ）
（注1B ）
（注1A ）
参数
评级
-20
±12
-3
-6
1.5
0.8
20
1
-55到+150
单位
V
V
A
W
V
A
°C
热特性
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
87
166
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.100
设备
FDFC2P100
包
SSOT-6
带尺寸
7”
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000units
2006仙童半导体公司
FDFC2P100 Rev.C （W）的
1
www.fairchildsemi.com
