FDFC2P100集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
2006年10月
FDFC2P100
集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
-20V ， -3A ， 150mΩ
特点
最大
DS （ ON）
= 150mΩ在V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.0A
最大
DS （ ON）
=在200mΩ在V
GS
= -2.5V ，我
D
= -2.2A
低栅极电荷（ 3.4nC典型值）
紧凑的工业标准SuperSOT
TM
-6包
概述
该FDFC2P100结合的卓越性能
飞兆半导体的PowerTrench MOSFET技术，以非常低
正向压降肖特基势垒整流器的SSOT- 6
封装。
这个装置是专具体来说作为一个单一封装解决方案
为DC至DC转换器。它的特点是快速切换，低门
充电MOSFET具有极低的导通电阻。显著
改善热特性和功率耗散
通过更换独立连接肖特基与
肖特基二极管阴极的PN内部连接到P沟道
PowerTrench MOSFET的漏极引脚。
肖特基：
V
F
< 0.45 V ，在我
F
= 1A
符合RoHS
C / D
C / D
C / D
销1
SuperSOT
TM
-6
4
5
6
3
2
1
G
S
A
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
V
RRM
I
O
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续
-Pulsed
功耗
肖特基重复峰值反向电压
肖特基平均正向电流
工作和存储结温范围
（注1A ）
（注1A ）
（注1B ）
（注1A ）
参数
评级
-20
±12
-3
-6
1.5
0.8
20
1
-55到+150
单位
V
V
A
W
V
A
°C
热特性
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
87
166
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.100
设备
FDFC2P100
包
SSOT-6
带尺寸
7”
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000units
2006仙童半导体公司
FDFC2P100 Rev.C （W）的
1
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FDFC2P100集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
GS
= 0V, V
DS
= -16V
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
-20
-12
-1
±100
V
毫伏/°C的
A
A
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.0A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -2.2A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.0A ，T
J
= 125°C
V
DS
= -5V ，我
D
= -3.0A
-0.6
-0.9
3
95
150
130
5.4
150
200
252
S
m
-1.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
335
80
40
6
445
105
60
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷为-10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至-10V
V
DD
= -4.5V
I
D
= -3.0A
V
DD
= -10V ，我
D
= -3.0A
V
GS
= -4.5V ，R
根
= 6
9
11
12
4
3.4
0.9
1.0
16
20
22
8
4.7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极蒂奥源二极管的正向电流
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= -1.2A
（注2 ）
-0.8
17
5
-1.2
-1.2
A
V
ns
nC
I
F
= -3.0A ，的di / dt = 100A / μs的
肖特基二极管特性
V
R
= 20V
I
R
反向漏
V
R
= 10V
I
F
= 500毫安
V
F
正向电压
I
F
= 1A
T
J
= 25°C
T
J
= 100C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
26
2.7
23
2.5
0.31
0.24
0.37
0.3
400
20
200
10
0.4
0.35
0.45
0.42
V
A
mA
A
mA
FDFC2P100 Rev.C （W）的
2
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FDFC2P100集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
注意事项：
1:
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为焊接安装
的漏极引脚表面。
R
θJC
由设计，同时保证
R
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 87 ° C / W时，
安装在一个1英寸
2
2盎司纯铜垫
B） 166 ° C / W时，
安装在一
minimun垫
2:
脉冲测试：脉冲宽度<300毫秒，占空比< 2.0 ％
FDFC2P100 Rev.C （W）的
3
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MOSFET和肖特基二极管
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
归
漏极至源极导通电阻
6
V
GS
=-4.5V
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
1
2
3
4
-I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -3.5V
V
GS
= -3.0V
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -2.0V
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
-I
D
，漏电流（ A）
5
4
3
2
1
0
0.0
V
GS
= -3.5V
V
GS
= -3.0V
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -2.0V
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
5
6
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
0.40
r
DS （ ON）
，沥去
源导通电阻
(
欧姆
)
归
漏极至源极导通电阻
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
I
D
= -3A
V
GS
= -4.5V
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
1
I
D
= -1.5A
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
-40
0
40
80
120
o
T
J
，结温
(
C
)
160
2
3
4
-V
GS
，门源电压（ V）
5
图3.归一导通电阻
VS结温
-I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
10
V
GS
= 0V
6
5
4
3
2
1
0
0.5
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
-I
D
，漏电流（ A）
V
DD
= - 5V
1
T
J
= 125
o
C
0.1
T
J
= 25
o
C
0.01
1E-3
1E-4
0.0
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= - 55
o
C
T
J
= -55
o
C
1.0
1.5
2.0
2.5
-V
GS
，门源电压（ V）
3.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
FDFC2P100 Rev.C （W）的
4
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MOSFET和肖特基二极管
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
-V
GS
，门源电压（ V）
5
I
D
= - 3A
500
V
DD
= - 5V
4
3
2
1
0
0.0
400
V
DD
= -10V
V
DD
= -15V
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
国际空间站
电容（pF）
300
200
C
OSS
100
C
RSS
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
0
Q
g
，栅极电荷（ NC）
5
10
15
-V
DS
，漏源极电压（ V）
20
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
I
R
，反向漏电流（ A）
I
F
，正向漏电流（ A）
1
T
J
= 125
o
C
0.1
T
J
= 125 C
o
0.1
T
J
= 100
o
C
0.01
0.01
T
J
= 25
o
C
1E-3
T
J
= 100 C
o
1E-3
1E-4
T
J
= 25 C
o
1E-4
0.0
1E-5
0.1
0.2
0.3
V
F
，正向电压（ V）
0.4
0
5
10
15
20
V
R
，反向电压（ V）
图9.肖特基二极管的正向电压
1
占空比，降序排列
图10.肖特基二极管反向电流
归热
阻抗Z
θ
JA
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
0.01
单脉冲
1E-3
-5
10
10
-4
10
-3
10
10
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
-2
-1
0
10
1
10
2
10
3
图11.瞬态热响应曲线
FDFC2P100 Rev.C （W）的
5
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