变容二极管
SG-950
超级超突变调谐变容二极管
特点
梅萨硅外延建设
二氧化硅钝化
高级中等范围的线性特性
高比例调整
=高Q
有共阴极风格
提供芯片形式（加后缀-000 ）
低电压无线锁相环的VCO
移相器
特定网络阳离子
在10 μA DC反向击穿电压
（在25℃ ） ：12 V分
在-10 V最大反向漏电流
（在25℃ ） ： 0.05微安的直流
在25 ° C设备功耗： 250毫瓦（降额
线性为零在+ 125 ℃）的
工作结温范围： -55 ° C至+ 125°C
存储温度： -55°C至+ 125°C
应用
温度补偿晶体振荡器，压控石英振荡器
低电压无线开环的VCO
总
电容
C
T
（PF ）在-1 V
民
13.0
13.0
17.0
17.0
26.0
26.0
36.0
36.0
总
电容
C
T
（PF ）在-2.5 V
民
最大
6.5
6.5
8.5
8.5
13.0
13.0
18.0
18.0
10.0
10.0
13.0
13.0
20.0
20.0
27.0
27.0
总
电容
C
T
（PF ）在-8 V
最大
2.7
2.7
3.2
3.2
4.7
4.7
6.2
6.2
Q分
在-4 V
（ 50兆赫）
750
350
600
300
500
225
400
150
型号
单身
GVD20442-001
GVD20443-001
GVD20444-001
GVD20445-001
GVD20446-001
GVD20447-001
GVD20448-001
GVD20449-001
常见
阴极
GVD20442-004
GVD20443-004
GVD20444-004
GVD20445-004
---
---
---
---
总
电容
C
T
（PF ）在-1 V
民
9.0
总
电容
C
T
（PF ）在-2.5 V
民
最大
4.5
6.5
总
电容
C
T
（PF ）为-4 V
最大
3.0
Q分
在-4 V
（ 50兆赫）
400
型号
单身
GVD20450-001
常见
阴极
GVD20450-004
3
顶视图
3
0.031
典型值
0.80
0.035
典型值
0.90
50.0
1
2
（单）
1
2
（共阴极）
0.115
±
0.005
2.93
±
0.13
0.079
2.0
10.0
0.038
±
0.003
0.96
±
0.065
0.037
0.95
0.037
0.95
焊盘布局
C
T
（PF ）
5.0
GVD20448-001
3.0
2.0
GVD20446-001
GVD20444-001
0.091
±
0.008
2.3
±
0.2
0.051
±
0.004
1.3
±
0.1
0.021
±
0.003
0.53
±
0.08
0.075
±
0.005
1.91
±
0.13
1.0
0.040
±
0.007
1.03
±
0.18
GVD20450-001
0.5
0.016
±
0.002
0.41
±
0.04
典型值
0.3
0.007
±
0.003
0.18
±
0.08
0.0047
±
0.0013
0.12
±
0.033
典型值
0.5
1
2
3
4 5 6
10
20
30
50
反向电压
（伏）
SOT- 23封装 - 额外的封装配置向厂家咨询。
所有尺寸都在
/
mm.
除非另外指明，在尺寸公差为± 0.004
/
0.1.
4
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