变容二极管

SG-950

超级超突变调谐变容二极管

特点

梅萨硅外延建设

二氧化硅钝化

高级中等范围的线性特性

高比例调整

=高Q

有共阴极风格

提供芯片形式（加后缀-000 ）

低电压无线锁相环的VCO

移相器

特定网络阳离子

在10 μA DC反向击穿电压

（在25℃ ） ：12 V分

在-10 V最大反向漏电流

（在25℃ ） ： 0.05微安的直流

在25 ° C设备功耗： 250毫瓦（降额

线性为零在+ 125 ℃）的

工作结温范围： -55 ° C至+ 125°C

存储温度： -55°C至+ 125°C

应用

温度补偿晶体振荡器，压控石英振荡器

低电压无线开环的VCO

总

电容

C

T

（PF ）在-1 V

民

最大

3.00

5.85

10.35

15.50

45.00

3.60

7.15

12.65

18.50

54.00

电容

比

C

T

在-1 V

C

T

在-3 V

民

最大

1.4

1.6

1.6

1.6

1.6

1.9

2.0

2.0

2.0

2.0

电容

比

C

T

在-1 V

C

T

在-6 V

民

最大

2.6

2.8

2.9

3.0

3.0

3.3

3.4

3.4

3.5

3.5

Q分

在-4 V

（ 50兆赫）

1500

1200

1000

900

750

型号

常见

阴极

GVD20433-004

GVD20434-004

GVD20435-004

GVD20436-004

---

单身

GVD20433-001

GVD20434-001

GVD20435-001

GVD20436-001

GVD20437-001

3

顶视图

3

0.031

典型值

0.80

0.035

典型值

0.90

100.0

50.0

1

2

（单）

1

2

（共阴极）

0.115

±

0.005

2.93

±

0.13

0.079

2.0

C

T

（PF ）

10.0

0.038

±

0.003

0.96

±

0.065

0.037

0.95

0.037

0.95

焊盘布局

0.091

±

0.008

2.3

±

0.2

0.051

±

0.004

1.3

±

0.1

5.0

GVD20436-001

3.0

2.0

GVD20434-001

GVD20435-001

0.021

±

0.003

0.53

±

0.08

0.075

±

0.005

1.91

±

0.13

0.040

±

0.007

1.03

±

0.18

1.0

0.5

0.016

±

0.002

0.41

±

0.04

典型值

0.3

0.007

±

0.003

0.18

±

0.08

0.0047

±

0.0013

0.12

±

0.033

典型值

0.5

1

2

3

4 5 6

10

20

30

50

反向电压

（伏）

SOT- 23封装 - 额外的封装配置向厂家咨询。

所有尺寸都在

/

mm.

除非另外指明，在尺寸公差为± 0.004

/

0.1.

。 SPRAGUE - GOODMAN ELECTRONICS ， INC。 ， 1700羞辱DRIVE ， WESTBURY ，NY 11590 电话： 516-334-8700 传真： 516-334-8771 E-MAIL ：信息@ spraguegoodman.com

3