无铅电镀产品
颁发日期： 2006/05/04
修订日期：
GTS6923
P沟道的肖特基二极管的功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-20V
50m
-3.5A
描述
该GTS6923提供设计师与快速切换的最佳组合，超低导通电阻和
成本效益。
*低导通电阻
*快速开关特性
*包括肖特基二极管
特点
包装尺寸
REF 。
A
A1
b
c
D
毫米
分钟。
-
0.05
0.19
0.09
2.90
马克斯。
1.20
0.15
0.30
0.20
3.10
REF 。
E
E1
e
L
S
毫米
分钟。
6.20
4.30
0.45
0°
马克斯。
6.60
4.50
0.75
8°
0.65 BSC
绝对最大额定值
参数
漏源电压
（ MOSFET和肖特基）
反向电压
（肖特基）
栅源电压
管（MOSFET ）
连续漏电流
3
管（MOSFET ）
连续漏电流
3
管（MOSFET ）
漏电流脉冲
1
管（MOSFET ）
平均正向电流
（肖特基）
脉冲正向电流
1
（肖特基）
总功耗
管（MOSFET ）
总功耗
（肖特基）
存储温度范围
工作结温范围
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
@ TA = 25 ：
I
D
@ TA = 70 ：
I
DM
I
F
I
FM
P
D
@ TA = 25 ：
TSTG
Tj
评级
-20
20
±12
-3.5
-2.8
-30
1
25
1
1
-55 ~ +150
-55 ~ +125
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
:
:
热数据
参数
热阻结到环境（ MOSFET ）
热阻结到环境（肖特基）
3
3
符号
马克斯。
马克斯。
价值
125
单位
: /W
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Rthj -A
GTS6923
