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无铅电镀产品
颁发日期: 2006/05/04
修订日期:
GTS6923
P沟道的肖特基二极管的功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-20V
50m
-3.5A
描述
该GTS6923提供设计师与快速切换的最佳组合,超低导通电阻和
成本效益。
*低导通电阻
*快速开关特性
*包括肖特基二极管
特点
包装尺寸
REF 。
A
A1
b
c
D
毫米
分钟。
-
0.05
0.19
0.09
2.90
马克斯。
1.20
0.15
0.30
0.20
3.10
REF 。
E
E1
e
L
S
毫米
分钟。
6.20
4.30
0.45
马克斯。
6.60
4.50
0.75
0.65 BSC
绝对最大额定值
参数
漏源电压
( MOSFET和肖特基)
反向电压
(肖特基)
栅源电压
管(MOSFET )
连续漏电流
3
管(MOSFET )
连续漏电流
3
管(MOSFET )
漏电流脉冲
1
管(MOSFET )
平均正向电流
(肖特基)
脉冲正向电流
1
(肖特基)
总功耗
管(MOSFET )
总功耗
(肖特基)
存储温度范围
工作结温范围
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
@ TA = 25 :
I
D
@ TA = 70 :
I
DM
I
F
I
FM
P
D
@ TA = 25 :
TSTG
Tj
评级
-20
20
±12
-3.5
-2.8
-30
1
25
1
1
-55 ~ +150
-55 ~ +125
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
:
:
热数据
参数
热阻结到环境( MOSFET )
热阻结到环境(肖特基)
3
3
符号
马克斯。
马克斯。
价值
125
单位
: /W
页次: 1/4
Rthj -A
GTS6923
颁发日期: 2006/05/04
修订日期:
电气特性( TJ = 25 :除非另有说明)
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
-20
-
-0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.03
-
10
-
-
-
-
-
15.6
2.1
5.2
8.2
9.4
66.4
48
660
285
130
马克斯。
-
-
-
-
±100
-1
-25
50
85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250uA
参考25 :我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ,我
D
=-3.5A
V
GS
= ±12V
V
DS
=-20V, V
GS
=0
V
DS
=-16V, V
GS
=0
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-3.5A
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-2.7A
I
D
=-3.5A
V
DS
=-10V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-10V
I
D
=-1A
V
GS
=-4.5V
R
G
=3.3
R
D
=10
V
GS
=0V
V
DS
=-20V
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ = 70 : )
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
2
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
SD
I
S
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
-1.2
-0.83
单位
V
A
测试条件
I
S
= -0.83A ,V
GS
=0V
V
D
= V
G
=0V, V
S
=-1.2V
连续源电流(
体二极管
)
肖特基特性@ TJ = 25
参数
正向电压降
马克斯。反向漏电流
符号
V
F
I
RM
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.5
100
单位
V
uA
测试条件
I
F
=1A
V
R
=20V
注意事项: 1,脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ,占空比2 % 。
3.表面装在1 FR4电路板的铜垫; 208 : /安装在闽当W 。铜垫。
2
GTS6923
页次:2/4
颁发日期: 2006/05/04
修订日期:
MOSFET的特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.正向特性
反向二极管
GTS6923
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
页次: 3/4
颁发日期: 2006/05/04
修订日期:
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
肖特基二极管
图10.有效的瞬态热阻抗
图1 。
反向漏电流V.S.结温
图2 。
正向电压降
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保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品,恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
台湾:
17-1号大同路。傅口新竹工业园区,新竹,台湾, ROC
电话: 886-3-597-7061传真: 886-3-597-9220 , 597-0785
中国:
( 201203 ) 255号,长江财Lueng RD 。 ,浦勇鑫区尚海城,中国
电话: 86-21-5895-7671 4传真: 86-21-38950165
GTS6923
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    GTS6923
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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