NIF9N05CL
典型性能曲线
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
500
C
国际空间站
C，电容（pF ）
400 V
DS
= 0 V
300
C
RSS
V
GS
= 0 V
5
Q
T
4
V
DS
Q
GS
3
Q
GD
V
GS
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
T
J
= 25°C
30
200
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
2
20
100
1
0
0
1
I
D
= 2.6 A
T
J
= 25°C
2
4
3
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
5
10
0
0
10
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
30
35
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极电压与总
栅极电荷
3
I
S
，源电流（安培）
100000
V
DD
= 40 V
I
D
= 2.6 A
V
GS
= 10 V
t
D（关闭）
1000
t
f
t
r
100
t
D（上）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
2
10000
T， TIME （ NS ）
1
10
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
订购信息
设备
NIF9N05CLT1
NIF9N05CLT1G
NIF9N05CLT3
NIF9N05CLT3G
包
SOT223
SOT223
（无铅）
SOT223
SOT223
（无铅）
4000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5
