NIF9N05CL
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 40 V,
I
D
= 2.6 （注3 ）
栅极电荷
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 1.5 A（注3 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
I
S
= 1.5 A，V
GS
= 0 V,
dI
s
/ DT = 100 A / MS（注3 ）
反向恢复电荷存储
ESD特性
静电放电能力
人体模型（ HBM ）
机器模型（ MM ）
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
ESD
5000
500
V
I
S
= 2.6 A，V
GS
= 0V （注3）
I
S
= 2.6 A，V
GS
= 0 V ，T
J
= 125°C
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
0.81
0.66
730
200
530
6.3
mC
1.5
V
ns
V
GS
= 10 V, V
DD
= 15 V,
I
D
= 2.6 A，R
D
= 5.8
W
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 40 V,
I
D
= 1.0 A，R
D
= 40
W
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 40 V,
I
D
= 2.6 A，R
D
= 15.4
W
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
Q
T
Q
1
Q
2
275
1418
780
1120
242
1165
906
1273
107
290
1540
1000
4.5
0.9
2.6
3.9
1.0
1.7
nC
7.0
nC
ns
465
2400
1320
1900
ns
ns
符号
民
典型值
最大
单位
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