NLAS5223B ， NLAS5223BL
超低0.5
W
双路SPDT模拟开关
该NLAS5223B是制造先进的CMOS模拟开关
亚微米硅栅CMOS技术。该装置是一个双
独立的单刀双掷（ SPDT ）开关为特色
超低R
ON
0.5
W,
在V
CC
= 3.0 V.
该器件还具有保证先断后（ BBM ）
开关，确保开关从来不缺乏驱动程序。
特点
http://onsemi.com
记号
图
WQFN10
CASE 488AQ
1
UQFN10
CASE 488AT
1
XX
XXMG
G
XXMG
G
超低R
ON
,
t0.5
W
在V
CC
= 3.0 V
NLAS5223B接口与2.8 V芯片组
NLAS5223BL接口与1.8 V芯片组
单电源供电，从1.65-4.5 V
全0 -V
CC
信号处理能力
高关通道隔离
低待机电流，
t50
nA
低失真
R
ON
0.15平整度
W
连续高电流能力
$300
毫安流经各开关
大电流钳位二极管的模拟输入
$300
mA的持续电流能力
包装：
1.4× 1.8× 0.75毫米WQFN - 10无铅
1.4× 1.8× 0.55毫米UQFN - 10无铅
这些无铅器件
应用
M
G
=具体设备守则
AD = NLAS5223BMNR2G
AE = NLAS5223BLMNR2G
AP = NLAS5223BMUR2G
=日期代码/装配位置
=无铅器件
（注：微球可在任一位置）
NC2
7
GND
6
IN2
8
5
NC1
COM2
9
4
IN1
手机音响座
扬声器和耳机开关
铃声芯片/功放开关
调制解调器
NO2
10
3
COM1
1
V
CC
2
NO1
功能表
1， 2
0
1
编号为1,2
关闭
ON
NC- 1,2
ON
关闭
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年9月 - 第3版
出版订单号：
NLAS5223B/D
