NLAS5223B ， NLAS5223BL
超低0.5
W
双路SPDT模拟开关
该NLAS5223B是制造先进的CMOS模拟开关
亚微米硅栅CMOS技术。该装置是一个双
独立的单刀双掷（ SPDT ）开关为特色
超低R
ON
0.5
W,
在V
CC
= 3.0 V.
该器件还具有保证先断后（ BBM ）
开关，确保开关从来不缺乏驱动程序。
特点
http://onsemi.com
记号
图
WQFN10
CASE 488AQ
1
UQFN10
CASE 488AT
1
XX
XXMG
G
XXMG
G
超低R
ON
,
t0.5
W
在V
CC
= 3.0 V
NLAS5223B接口与2.8 V芯片组
NLAS5223BL接口与1.8 V芯片组
单电源供电，从1.65-4.5 V
全0 -V
CC
信号处理能力
高关通道隔离
低待机电流，
t50
nA
低失真
R
ON
0.15平整度
W
连续高电流能力
$300
毫安流经各开关
大电流钳位二极管的模拟输入
$300
mA的持续电流能力
包装：
1.4× 1.8× 0.75毫米WQFN - 10无铅
1.4× 1.8× 0.55毫米UQFN - 10无铅
这些无铅器件
应用
M
G
=具体设备守则
AD = NLAS5223BMNR2G
AE = NLAS5223BLMNR2G
AP = NLAS5223BMUR2G
=日期代码/装配位置
=无铅器件
（注：微球可在任一位置）
NC2
7
GND
6
IN2
8
5
NC1
COM2
9
4
IN1
手机音响座
扬声器和耳机开关
铃声芯片/功放开关
调制解调器
NO2
10
3
COM1
1
V
CC
2
NO1
功能表
1， 2
0
1
编号为1,2
关闭
ON
NC- 1,2
ON
关闭
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年9月 - 第3版
出版订单号：
NLAS5223B/D
NLAS5223B ， NLAS5223BL
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
anl1
I
anlpk1
I
CLMP
正直流电源电压
模拟输入电压（V
NO
, V
NC
或V
COM
)
数字选择输入电压
从COM到NC持续直流电流/ NO
从山顶COM数控电流/ NO ， 10占空比（注1 ）
连续DC电流转换成COM / NO / NC相对于V
CC
或GND
参数
价值
-0.5到+5.5
0.5
v
V
IS
v
V
CC
+ 0.5
0.5
v
V
IN
v
+5.5
±300
±500
±100
单位
V
V
V
mA
mA
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.定义为10％ ， 90 ％灭占空比。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压（ OVT ）过压容差
模拟输入电压（ NC ， NO ， COM ）
工作温度范围
输入信号上升和下降时间，选择
V
CC
= 1.6 V 2.7 V
V
CC
= 3.0 V 4.5 V
参数
民
1.65
GND
GND
40
最大
4.5
4.5
V
CC
+85
20
10
单位
V
V
V
°C
NS / V
http://onsemi.com
3
NLAS5223B ， NLAS5223BL
NLAS5223B直流特性 - 数字部分
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
V
IL
I
IN
I
关闭
I
CC
参数
最低高电平输入电压，选择
输入
最大低电平输入电压，选择
输入
最大输入漏电流，选择
输入
关机漏电流
最大静态电源电流
（注2 ）
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= V
CC
或GND
选择和V
IS
= V
CC
或GND
条件
V
CC
3.0
4.3
3.0
4.3
4.3
0
1.65 4.5
25°C
1.4
2.0
0.7
0.8
±0.1
±0.5
±1.0
40°C
至+ 85°C
1.4
2.0
0.7
0.8
±1.0
±2.0
±2.0
单位
V
V
mA
mA
mA
2.设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
NLAS5223B DC电气特性 - 模拟部分
保证最高限额
25°C
符号
R
ON
参数
NC / NO导通电阻
（注3）
NC / NO导通电阻平坦度
（注3和4）
导通电阻匹配通道间
（注3和5）
条件
V
IN
= V
IL
或V
IN
= V
IH
V
IS
= GND到V
CC
I
COM
= 100毫安
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
V
IS
= 1.5 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 2.2 V;
I
COM
= 100毫安
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
或V
NC
= 0.3 V
V
COM
= 4.0 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
0.3 V或4.0 V带
V
NC
漂浮或
V
NC
0.3 V或4.0 V带
V
NO
漂浮的
V
COM
= 0.3 V或4.0 V
V
CC
3.0
4.3
3.0
4.3
3.0
4.3
4.3
5.0
民
最大
0.4
0.35
0.16
0.11
0.05
0.05
5.0
50
-40 ° C至
+85°C
民
最大
0.5
0.4
0.20
0.14
0.05
0.05
50
nA
单位
W
R
平
DR
ON
W
W
I
NC （关闭）
I
否（关）
I
COM（上）
常闭或常关，漏电流（注3）
COM在
漏电流
（注3）
4.3
10
10
100
100
nA
3.通过设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
测量在规定的模拟4.平坦度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
信号范围。
5.
DR
上=
R
开（ MAX）的
R
开（分钟）
NC1和NC2之间或NO1和NO2之间。
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4
NLAS5223B ， NLAS5223BL
NLAS5223BL直流特性 - 数字部分
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
V
IL
I
IN
I
关闭
I
CC
参数
最低高电平输入电压，选择
输入
最大低电平输入电压，选择
输入
最大输入漏电流，选择
输入
关机漏电流
最大静态电源电流
（注6 ）
V
IN
= 4.5 V或GND
V
IN
= 4.5 V或GND
选择和V
IS
= V
CC
或GND
条件
V
CC
3.0
4.3
3.0
4.3
4.3
0
1.65 4.5
25°C
1.3
1.6
0.5
0.6
±0.1
±0.5
±1.0
40°C
至+ 85°C
1.3
1.6
0.5
0.6
±1.0
±2.0
±2.0
单位
V
V
mA
mA
mA
6.通过设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
NLAS5223BL DC电气特性 - 模拟部分
保证最高限额
25°C
符号
R
ON
参数
NC / NO导通电阻
（注7 ）
NC / NO导通电阻平坦度
（注7,8）
导通电阻匹配通道间
（注7,9 ）
条件
V
IN
= V
IL
或V
IN
= V
IH
V
IS
= GND到V
CC
I
COM
= 100毫安
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
V
IS
= 1.5 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 2.2 V;
I
COM
= 100毫安
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
或V
NC
= 0.3 V
V
COM
= 4.0 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
0.3 V或4.0 V带
V
NC
漂浮或
V
NC
0.3 V或4.0 V带
V
NO
漂浮的
V
COM
= 0.3 V或4.0 V
V
CC
3.0
4.3
3.0
4.3
3.0
4.3
4.3
10
民
最大
0.4
0.35
0.16
0.11
0.05
0.05
10
100
-40 ° C至
+85°C
民
最大
0.5
0.4
0.20
0.14
0.05
0.05
100
nA
单位
W
R
平
DR
ON
W
W
I
NC （关闭）
I
否（关）
I
COM（上）
常闭或常关，漏电流（注7）
COM在
漏电流
（注7 ）
4.3
10
10
100
100
nA
7.通过设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
测量在规定的模拟8.平坦度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
信号范围。
9.
DR
上=
R
开（ MAX）的
R
开（分钟）
NC1和NC2之间或NO1和NO2之间。
http://onsemi.com
5
NLAS5223B ， NLAS5223BL
COM
NO
NC
IN
图1.逻辑等效电路
引脚说明
QFN封装引脚＃
2, 5, 7, 10
4, 8
3, 9
6
1
符号
NC1 NC2来，以NO1 NO2
IN1和IN2
COM1和COM2
GND
V
CC
独立通道
控制
公共信道
接地（ V）
正电源电压
名称和功能
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
anl1
I
anlpk1
I
anlpk2
I
CLMP
正直流电源电压
模拟输入电压（V
NO
, V
NC
或V
COM
)
数字选择输入电压
从COM到NC持续直流电流/ NO
峰值电流从COM到NC / NO ，占空比为10％ ， 100毫秒= T
ON
（注1 ）
瞬间峰值电流从COM到NC / NO ， 10％的占空比，T
ON
＆ LT ; 1
ms
连续DC电流转换成COM / NO / NC相对于V
CC
或GND
参数
价值
0.5
至+5.5
0.5
v
V
IS
v
V
CC
+ 0.5
0.5
v
V
IN
v
+5.5
320
600
850
100
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.定义为10％ ， 90 ％灭占空比。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压（ OVT ）过压容差
模拟输入电压（ NC ， NO ， COM ）
工作温度范围
输入信号上升和下降时间，选择
V
CC
= 1.6 V
2.7 V
V
CC
= 3.0 V
4.5 V
参数
民
1.65
GND
GND
40
最大
4.5
4.5
V
CC
+85
20
10
单位
V
V
V
C
NS / V
http://onsemi.com
2
NLAS5223B ， NLAS5223BL
NLAS5223B直流特性
数字部分
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
V
IL
I
IN
I
关闭
I
CC
参数
最低高电平输入电压，选择
输入
最大低电平输入电压，选择
输入
最大输入漏电流，选择
输入
关机漏电流
最大静态电源电流
（注2 ）
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= V
CC
或GND
选择和V
IS
= V
CC
或GND
条件
V
CC
3.0
4.3
3.0
4.3
4.3
0
1.65 4.5
25C
1.4
2.0
0.7
0.8
0.1
0.5
1.0
40C
至+ 85°C
1.4
2.0
0.7
0.8
1.0
2.0
2.0
单位
V
V
mA
mA
mA
2.设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
NLAS5223B DC电气特性
模拟部分
保证最高限额
25C
符号
R
ON
参数
NC / NO导通电阻
（注3）
NC / NO导通电阻平坦度
（注3和4）
导通电阻匹配通道间
（注3和5）
条件
V
IN
= V
IL
或V
IN
= V
IH
V
IS
= GND到V
CC
I
COM
= 100毫安
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
V
IS
= 1.5 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 2.2 V;
I
COM
= 100毫安
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
或V
NC
= 0.3 V
V
COM
= 4.0 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
0.3 V或4.0 V带
V
NC
漂浮或
V
NC
0.3 V或4.0 V带
V
NO
漂浮的
V
COM
= 0.3 V或4.0 V
V
CC
3.0
4.3
3.0
4.3
3.0
4.3
4.3
5.0
民
最大
0.4
0.35
0.16
0.11
0.05
0.05
5.0
50
40C
to
+85C
民
最大
0.5
0.4
0.20
0.14
0.05
0.05
50
nA
单位
W
R
平
DR
ON
W
W
I
NC （关闭）
I
否（关）
I
COM（上）
常闭或常关，漏电流（注3）
COM在
漏电流
（注3）
4.3
10
10
100
100
nA
3.通过设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
测量在规定的模拟4.平坦度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
信号范围。
5.
DR
上=
R
开（ MAX）的
R
开（分钟）
NC1和NC2之间或NO1和NO2之间。
http://onsemi.com
3
NLAS5223B ， NLAS5223BL
NLAS5223BL直流特性
数字部分
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
V
IL
I
IN
I
关闭
I
CC
参数
最低高电平输入电压，选择
输入
最大低电平输入电压，选择
输入
最大输入漏电流，选择
输入
关机漏电流
最大静态电源电流
（注6 ）
V
IN
= 4.5 V或GND
V
IN
= 4.5 V或GND
选择和V
IS
= V
CC
或GND
条件
V
CC
3.0
4.3
3.0
4.3
4.3
0
1.65 4.5
25C
1.3
1.6
0.5
0.6
0.1
0.5
1.0
40C
至+ 85°C
1.3
1.6
0.5
0.6
1.0
2.0
2.0
单位
V
V
mA
mA
mA
6.通过设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
NLAS5223BL DC电气特性
模拟部分
保证最高限额
25C
符号
R
ON
参数
NC / NO导通电阻
（注7 ）
NC / NO导通电阻平坦度
（注7,8）
导通电阻匹配通道间
（注7,9 ）
条件
V
IN
= V
IL
或V
IN
= V
IH
V
IS
= GND到V
CC
I
COM
= 100毫安
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
V
IS
= 1.5 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 2.2 V;
I
COM
= 100毫安
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
或V
NC
= 0.3 V
V
COM
= 4.0 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
0.3 V或4.0 V带
V
NC
漂浮或
V
NC
0.3 V或4.0 V带
V
NO
漂浮的
V
COM
= 0.3 V或4.0 V
V
CC
3.0
4.3
3.0
4.3
3.0
4.3
4.3
10
民
最大
0.4
0.35
0.16
0.11
0.05
0.05
10
100
40C
to
+85C
民
最大
0.5
0.4
0.20
0.14
0.05
0.05
100
nA
单位
W
R
平
DR
ON
W
W
I
NC （关闭）
I
否（关）
I
COM（上）
常闭或常关，漏电流（注7）
COM在
漏电流
（注7 ）
4.3
10
10
100
100
nA
7.通过设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
测量在规定的模拟8.平坦度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
信号范围。
9.
DR
上=
R
开（ MAX）的
R
开（分钟）
NC1和NC2之间或NO1和NO2之间。
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
