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数据表
MOS场效应
NP160N04TUG
开关
N沟道功率MOS FET
描述
该NP160N04TUG是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
订购信息
产品型号
NP160N04TUG-E1-AY
NP160N04TUG-E2-AY
记
记
铅电镀
纯Sn （锡）
填料
带800的P /卷
包
TO- 263-7pin （ MP - 25ZT ） （典型值） 。 1.5克
记
无铅（此产品不包含铅，在外部电极） 。
特点
超低导通电阻
R
DS （ ON）
= 1.6 mΩ的典型值。 / 2.0 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 80 A)
高额定电流
I
D（ DC）的
=
±160
A
(TO-263-7pin)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
40
±20
±160
±640
220
1.8
175
55
to
+175
372
61
372
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
mJ
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩能量
Note2
Note3
Note3
E
AS
I
AR
E
AR
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
注意事项1 。
PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 20 V ，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20
→
0 V，L = 100
μ
H
3.
R
G
= 25
Ω,
T
通道（峰值）
≤
150°C
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
0.68
83.3
° C / W
° C / W
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一号文件D18754EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2007年5月NS CP （ K）
日本印刷
2007
